英飛凌新推OptiMOS源極底置功率MOSFET

英飛凌(Infineon)推出了新一代OptiMOS源極底置(Source-Down, SD)功率MOSFET,為解決終端應用中的設計挑戰提供切實可行的解決方案。新款功率MOSFET採用PQFN封裝,尺寸為3.3×3.3mm2,支援從25V到100V的寬電壓範圍。可實現高效率、高功率密度以及熱性能指標,並降低BOM成本。應用涵蓋馬達驅動,適用於伺服器、電信和OR-ing的SMPS,以及電池管理系統等。...
2022 年 02 月 23 日