特瑞仕通用N通道MOSFET　具低導通電阻/高速開關

特瑞仕半導體株式會社開發了2種MOSFET新產品－XP22x系列(20V耐壓)。 此次發售的產品是具有低導通電阻和高速開關特性的通用N通道MOSFET產品。該產品可用於各種機器應用，如繼電器電路和開關電路。內置了柵極保護二極管作為防靜電措施。...
2020 年 08 月 24 日

特瑞仕新降壓DC/DC轉換器鎖定車載應用

特瑞仕半導體開發了把電感和控制IC組成整體、符合車載可靠性標準AEC-Q100的小型降壓micro DC/DC轉換器XDL605/XDL606系列。 當使用XDL605/XDL606系列時，只需要在外部零件中增加陶瓷電容和設定電壓的電阻，即可組成DC/DC轉換器電源電路，有利於大幅度節省電路板面積和空間及縮短開發時程。此外該產品的內置電感結構使得電路板布局更為便捷，並將EMI雜訊及電路工作故障率抑制在最小限度。...
2020 年 06 月 02 日

特瑞仕推低導通電阻/高速開關通用P通道MOSFET產品陣容

特瑞仕半導體日前開發MOSFET的新產品—XP231P02013R(-30V耐壓)、XP232P05013R(-30V耐壓)。 此次發售的產品，是具有低導通電阻和高速開關特性的通用P通道MOSFET產品。該產品可用於各種機器應用，如繼電器電路和開關電路。內置了柵極保護二極管作為防靜電措施。...
2020 年 04 月 09 日

特瑞仕推低消耗電流擴大降壓micro DC/DC轉換器

特瑞仕半導體日前開發36V工作電壓，600mA低消耗電流，降壓micro DC/DC轉換器XCL230/XCL231系列。 XCL230/XCL231系列是電感與控制IC一體化的小型降壓DC/DC轉換器。電感一體化設計，使得電路板設計變得更加容易，並可以將元件配置或引配線導致的誤動作或噪聲問題控制在最低限度。輸入電壓範圍為3.0V~36V，切換頻率為1.2MHz。採用同步整流電路，實現了高效率穩定的電源。採用小型封裝DFN3030-10B(3.0mm×3.0mm，h=1.7mm)。...
2020 年 03 月 11 日

特瑞仕拓展微型DC-DC轉換器產品線

特瑞仕半導體(Torex)在其線圈和控制積體電路(IC)整合而成的微型(Micro)直流對直流(DC-DC)轉換器的XCL系列產品中，首次開發升壓式XCL101系列產品。 XCL101系列產品是把線圈和控制IC整合而成的超小型CL-2025升壓Micro...
2014 年 03 月 18 日

特瑞仕發表85mΩ低導通電阻電源開關

特瑞仕半導體(Torex)推出85毫歐姆(mΩ)低導通電阻電源開關XC8107/XC8108系列產品，內置P通道金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)，適用於第二代通用序列匯流排(USB2.0)、第三代通用序列匯流排(USB3.0)的應用及在電力配送的用途。 ...
2013 年 10 月 03 日

益登/特瑞仕達成代理協議

益登科技與特瑞仕半導體(TOREX)達成代理協議。特瑞仕半導體為類比電源供應IC設計、開發及製造商，該公司瞄準下一代節能元件，應用涵蓋手機、筆記型電腦、可攜式裝置、網路、消費性電子、工控及車用領域。根據代理協議，益登取得特瑞仕半導體在台代理權，為台灣廣大客戶群提供全產品線解決方案。 ...
2013 年 07 月 10 日

特瑞仕超高頻低雜訊放大器採用CMOS製程

日本東京的特瑞仕半導體(TOREX)推出採用互補金屬氧化物半導體(CMOS)製程，適用於移動體終端和地面數字廣播的超高頻(UHF)低雜訊放大器(LNA)–XC2402系列產品。 ...
2012 年 06 月 11 日

特瑞仕發表2A降壓同步整流DC/DC轉換器

日本東京的特瑞仕半導體(Torex)推出輸出電流為2安培的降壓同步整流DC/DC 轉換器XC9242/XC9243系列產品。該系列產品內建電晶體的導通電阻非常小，能高效率而穩定地提供高達2安培的輸出電流。對應陶瓷電容、內建0.11Ω(TYP.)P通道MOS...
2011 年 05 月 09 日

特瑞仕防逆流高速電壓調整器XC6227登場

特瑞仕半導體(Torex)日前開發附防止逆流功能，最大輸出電流700毫安培(mA)高速電壓調整器XC6227系列產品。該系列為高速電壓調整器晶片，具備防止逆流功能、高精度±1%、高紋波抑制65dB@1kHz、低壓差120毫伏特(mV)@IOUT=300mA，最大輸出電流達700毫安培。 ...
2010 年 12 月 03 日

特瑞仕CMOS製程LNA問世

特瑞仕(Tores)推出採用互補式金屬氧化物半導體(CMOS)製程、用於全球衛星定位系統(GPS)的1.6GHz低雜訊放大器(LNA)。以往大部分的LNA產品採用GaAs、SiGe製程。但是，隨著近年來無線電子儀器需求的提升，生產LNA所採用的製程正逐漸朝向擁有充足生產能力的CMOS...
2009 年 10 月 29 日
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