推升RF應用元件整合度 氮化鎵特性一鳴驚人

若要以矽(Si)與砷化鎵(GaAs)材料實現基地台、相位陣列雷達等RF應用,勢必得增加額外的散熱、保護晶片元件,而氮化鎵(GaN)適合高功率應用的材料特性,將可望解決這個問題,進一步推升RF應用元件的整合度。...
2017 年 10 月 27 日