SiC熱特性優異 電源轉換效能更上層樓

市場對切換速度、功率、機械應力和熱應力耐受度之要求日益提升,而矽元件理論上正在接近性能上限。寬能帶隙半導體元件因電、熱、機械等各項性能表現俱佳而被業界看好,被認為是矽半導體元件的替代技術。
2018 年 01 月 04 日

碳化矽/氮化鎵元件進入商品化 電力電子產業迎來大革命

隨著碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續應用在二極體、場效電晶體(MOSFET)等元件上,電力電子產業的技術大革命已揭開序幕。這些新元件雖然在成本上仍比傳統矽元件高出一大截,但其開關速度、切換損失等性能指標,也是矽元件難以望其項背的。這些新一代元件的商品化,為電力電子產業打開了全新的應用可能性。
2017 年 07 月 03 日

GSA台灣半導體領袖論壇11月11日將於新竹舉行

全球半導體聯盟(GSA)宣布,將於11月11日星期三下午,於新竹國賓飯店舉行 第十屆2015 GSA台灣半導體領袖論壇 (2015 GSA Semiconductor Leaders Forum)。 ...
2015 年 10 月 23 日