加速LTE-A/5G設計 射頻LNA/PA需求爆發

射頻(RF)元件需求急速增長。先進長程演進計畫(LTE-Advanced, LTE-A)商轉啟動,下一代5G標準亦蓄勢待發,驅動行動裝置射頻系統規格升級。系統廠為支援100MHz超大頻寬、四十個以上頻段並降低雜訊干擾,除計畫增加低雜訊放大器(LNA)和功率放大器(PA)等射頻元件用量外,亦將要求射頻前端模組(FAM)提高功能整合度,吸引晶片商加緊展開卡位。 ...
2013 年 08 月 26 日

靠尺寸/價格殺出重圍 CMOS PA搶進低價手機

互補式金屬氧化物半導體功率放大器(CMOS PA)可望挾尺寸、成本優勢快速崛起。高通(Qualcomm)推出支援多頻多模長程演進計畫(LTE)的CMOS PA後,已引起業界對此更小型、低成本的射頻(RF)元件高度關注,尤其中低階手機製造商更將其視為升級產品通訊規格的重要途徑而擴大導入,將有助CMOS...
2013 年 07 月 29 日

NXP於國際微波年會中展示高效RF產品

恩智浦(NXP)宣布將於「2010年IEEE MTT-S國際微波年會」上,展示用於新一代基地台的最新高性能射頻(RF)和混合訊號(Mixed Signal)產品,包括首款支援JEDEC JESD204A串列介面的資料轉換器;以矽鍺碳(SiGe:C)技術為基礎的完整射頻和中頻(IF)放大器產品;第七代LDMOS功率電晶體,及Doherty功率放大器完整產品系列等。 ...
2010 年 06 月 11 日

恩智浦推出SiGe:C製程射頻/微波系列產品

恩智浦(NXP)針對高頻無線電應用,推出一系列採用矽鍺(SiGe)製程技術開發的新產品,目的在滿足產業對更強大、高經濟效益和高整合矽技術日益增加的需求。並將在2010年底前推出超過五十種採用矽鍺碳(SiGe:C)技術的產品。QUBiC4...
2010 年 05 月 25 日