MDmesh突破效能天險 超接面電晶體功率應用創新局

自從固態電晶體取代真空電子管以來,半導體工業獲得了令人驚歎的突破性進展,改變了生活和運作方式。如果沒有這些技術進步,在疫情影響之下的封城隔離期間,就不能遠端辦公,與外界保持聯繫。總之,沒有半導體科技技術的進步,人類就無法享受科技帶來的方便。舉個例子,處理器晶片運算能力能顯著提升歸功於工程師不斷努力,在晶片單位面積上擠進更多電晶體。根據摩爾定律,電晶體密度每18個月左右就提升一倍,這個定律控制半導體微處理器反覆運算50多年。現在,即將到達原子學和物理學的理論極限,需要新的技術,例如分層垂直堆疊技術。同時,科技產業也正處於另一場革命浪潮之中,碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬能隙半導體正在快速發展,這些新材料具有獨特的物理性質,可以提升元件的效能和功率密度,能夠在更惡劣的熱環境內安全運作。...
2021 年 09 月 01 日

英特爾3D立體結構22奈米電晶體締造新猷

英特爾(Intel)宣布其電晶體演進的重大突破,電晶體乃是現代電子產品中十分微小的基礎元件。自從矽電晶體在50年前發明以來,首度採用三維(3D)立體結構的電晶體即將邁入量產。英特爾於2002年首次公開命名為Tri-Gate的革命性3D立體電晶體設計。22奈米製程晶片(內部代號為Ivy...
2011 年 05 月 17 日