應用障礙逐步掃除 WBG元件普及大步向前(2)

寬能隙元件能為電源、逆變器等功率應用帶來極大的效益,但在設計導入方面也有相當的門檻存在。因此,如何降低設計導入的門檻,成為供應商必須面對的課題。 GaN驅動難題有解 台達實現百瓦功率密度 同樣屬於寬能隙半導體的氮化鎵功率元件,也跟碳化矽元件一樣,能協助電源開發者實現更高的電源密度。然而,氮化鎵元件的驅動與控制方式與矽元件大相逕庭,因此在高功率應用的設計開發上,有比較多技術議題需要克服。...
2023 年 07 月 03 日

ROHM開始量產650V耐壓GaN HEMT

羅姆(ROHM)已開始650V耐壓氮化鎵(GaN)HEMT「GNP1070TC-Z」、「GNP1150TCA-Z」的量產,該二款產品非常適用於伺服器和AC適配器等各類型電源系統。 據悉電源和馬達的用電量占全世界用電量的一半,為實現無碳社會,如何提高它們的效率已成為全球性的課題。而功率元件則是提高電源效率的關鍵,碳化矽(SiC)和GaN等新世代半導體材料在進一步提升電源效率方面被寄予厚望。2022年ROHM將閘極耐壓高達8V的150V耐壓GaN...
2023 年 05 月 22 日