電動車邁向800V架構　六吋SiC晶圓需求量將達169萬片

根據TrendForce預估，由於電動車對延長續航里程及縮短充電時間有著極大需求，整車平台高壓化將是無可避免的趨勢，許多車廠亦已陸續推出800V高壓車型。在電動車滲透率不斷升高，以及整車架構朝800V高壓方向邁進的情況下，預估到2025年時，全球電動車市場對6吋SiC晶圓的需求量可達169萬片。...
2021 年 12 月 02 日

意法/A*STAR IME投入碳化矽研發　聚焦新加坡電動車與工業

意法半導體(ST)日前宣布與美國科學技術研究單位A*STAR的微電子研究所(IME)共同投入碳化矽(SiC)開發，為新加坡的電動車與工業市場奠定基礎。 IME執行長Dim-Lee Kwong表示，很高興與意法半導體共同投入碳化矽的研發，藉以滿足電動車市場不斷成長的需求。雙方之後也將繼續投入在新加坡的研發工作，鞏固其研究、創新、企業等多領域的地位。...
2021 年 11 月 30 日

掌握汽車產業新趨勢　自駕/車聯網關鍵技術帶動智慧交通革命

環保意識抬頭及通訊科技不斷演進，汽車產業朝向四大核心CASE發展，車聯網(Connected Vehicle)、自動駕駛技術(Autonomous)、共享(Shared)與電動車(Electrified...
2021 年 11 月 19 日

購併UnitedSiC　Qorvo進軍第三代半導體　

功率放大器(PA)供應商Qorvo宣布，該公司將收購美國碳化矽(SiC)功率半導體製造商United Silicon Carbide(UnitedSiC)。藉由這件購併案，Qorvo將可把業務觸角延伸到快速成長的電動車(EV)、工業電源、電路保護、可再生能源和數據中心電源市場。UnitedSiC的產品線將成為Qorvo基礎設施和國防產品(IDP)業務之一，並由UnitedSiC的總裁兼執行長Chris...
2021 年 11 月 05 日

意法窄型SO-8封裝SiC閘極驅動器節省空間

意法半導體(ST)新推出之STGAP2SiCSN是為控制碳化矽MOSFET而優化的單通道閘極驅動器，其採用了節省空間的窄體SO-8封裝，具備穩定的效能和精準的PWM控制。SiC功率技術被廣泛使用於提升功率轉換效率，而STGAP2SiCSN...
2021 年 11 月 05 日

應對晶片短缺　博世再加碼4億歐元擴產能

為解決全球性的晶片短缺問題，雖然博世(Bosch)在德勒斯登(Dresden)的新晶圓廠才剛啟用不久，但該公司已宣布，將於2022年再投入4億歐元，擴建其位於德國德勒斯登(Dresden)、羅伊特林根(Reutlingen)的晶圓廠，以及馬來西亞檳城(Penang)的晶片測試中心。...
2021 年 11 月 02 日

百瓦級大功率快充需求擴大　2025年GaN滲透率將超越五成

近期蘋果(Apple)發表了用於MacBook Pro的全新140W USB-C電源適配器，並首次採用了基於氮化鎵(GaN)的技術，顯示出百瓦級大功率快充產品進入成長期，加速第三代半導體消費應用的發展擴張。根據TrendForce研究指出，在GaN功率電晶體價格不斷下降(目前已逼近約1美元)，以及技術方案愈趨成熟的態勢下，預估至2025年GaN在整體快充領域的市場滲透率將達到52%。...
2021 年 11 月 01 日

正海集團/ROHM合資成立碳化矽功率模組公司

正海集團與ROHM簽署合資協定共同成立一間功率模組事業的新公司，為上海海姆希科半導體，計畫於2021年12月在中國成立，出資比例為正海集團旗下的正海半導體佔80%，ROHM佔20%。 新公司將致力於發展新能源車牽引逆變器用的先進功率模組事業，研發、設計、製造和銷售使用了碳化矽(SiC)功率元件的功率模組，並將結合正海集團旗下公司的逆變器技術、模組開發技術，與ROHM模組生產技術、先進碳化矽晶片技術，開發高效率的功率模組。...
2021 年 10 月 27 日

5G/電動車都少不了它　化合物半導體成熱門關鍵字

在5G、電動車應用的催化下，化合物半導體當前半導體產業內最常被提起的話題。從光電應用起家的化合物半導體，或將成為一股為世界帶來更多重大改變的新力量。
2021 年 10 月 18 日

UnitedSiC第四代SiC元件添新品　750V方案或成後起之秀

碳化矽(SiC)功率元件製造商聯合碳化矽(UnitedSiC)於日前發表其第四代產品線的最新成員，其耐受電壓為750V，導通電阻(RDS(on))則降低至6mΩ，從而滿足電源設計人員對更高性能、更高效率的SiC...
2021 年 10 月 07 日

散熱性能好還要更好　銀燒結技術讓晶片更耐熱

縮小功率電晶體晶粒到封裝外殼之間的熱阻，變得越來越重要。隨著技術進步及其帶來的比以往更低的導通損耗和動態損耗、更小的晶粒及其實現的更低電容，結殼溫差正在逐漸成為電晶體在不超過溫度限制的情況下，能處理多少功率的限制因素。使用銀燒結科技的先進晶粒安裝方法正是解決此問題的辦法。
2021 年 10 月 07 日

專訪英飛凌電源與感測系統事業部大中華區協理陳志星　寬能隙功率元件GaN/SiC大有可為

半導體的應用越來越廣泛，隨著許多領域陸續電氣化，尤其5G、雲端運算、物聯網、電動車等趨勢，而為了提升效率與擴大應用規模，耐高電壓、更低導通電阻與更快切換速度的寬能隙半導體氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)迅速崛起，Infineon長期投入功率元件的開發，自然在當紅的第三代半導體擁有完整布局。
2021 年 09 月 30 日
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