英飛凌奧地利新廠區落成啟用　第三代半導體布局添活棋

英飛凌(Infineon)日前宣布，其位於奧地利菲拉赫(Villach)的12吋薄晶圓功率半導體晶片廠正式啟用營運。這座以「面向未來」為宗旨的高科技晶片廠，總投資額為16億歐元，是歐洲微電子領域同類型中最大規模的投資項目之一，也是現代化程度最高的半導體元件工廠之一。這座新啟用的晶圓廠，現階段將生產汽車、資料中心，以及太陽能和風能等再生能源應用所需的晶片。這座新晶圓廠啟用後，原本位於Villach的舊廠區，在未來幾年將陸續展開產線升級計畫，以便用更大尺寸的晶圓量產碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)元件，滿足市場對第三代半導體的強勁需求。...
2021 年 09 月 23 日

提升切換式電源供應器效率　SiC無縫切入高電壓應用

切換式電源供應器(SMPS)使用傳統的矽(Si)MOSFET技術，持續提升整體效率。其中使用新的矽製程、設計方法，以及在創新的全新拓撲使用這類裝置，不斷向前突破提升效率。過去幾年來興起碳化矽(SiC)等寬能隙技術，提供各式各樣令人興奮的特性，協助工程師實現更高效率，不過使用時必須衡量兩種技術之間的價格差異。650V...
2021 年 09 月 12 日

從豆腐頭到自駕車　氮化鎵GaN的好戲還在後頭

從一顆豆腐頭開始，新一代氮化鎵(GaN)充電器即將邁向大眾市場，同時也意味著第三代半導體材料準備大顯身手，將進入高速成長階段，氮化鎵功率元件的市場規模，可望從2020年的4,600萬美元，一路成長到2026年的11億美元，平均年複合成長率超過70%。
2021 年 08 月 26 日

功率/RF應用雙引擎帶動　寬能隙半導體來勢洶洶

在電動車、5G的帶動下，近幾年寬能隙半導體的應用突飛猛進，相關人才的爭奪戰，也變得更加白熱化。
2021 年 05 月 03 日

意法新隔離式閘極驅動器可安全控制SiC MOSFET

STGAP2SiCS是意法半導體(ST)STGAP系列隔離式閘極驅動器的最新產品，可安全地控制碳化矽(SiC)MOSFET，作業電源電壓高達1200V。 STGAP2SiCS能夠產生高達26V的閘極驅動電壓，將欠壓鎖定(UVLO)閾壓提升到15.5V，滿足SiC...
2021 年 04 月 13 日

集結產學之力　PIDA發表化合物半導體技術路線圖

光電科技工業協進會(PIDA)近日舉辦「化合物半導體技術路線圖」特刊發表會，共吸引200多位國內在化合物半導體產官學界重要貴賓參與。本路線圖由陽明交通大學國際半導體產業學院張翼院長出任召集人，集合國內產學研專家，針對化合物半導體的最新技術發展及產業應用作深入剖析。本路線圖聚焦在下世代高頻、高功率、寬能隙等相關半導體關鍵材料，如氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)等技術與應用，內容包含材料特性、長晶磊晶、通訊及功率半導體的元件製程、未來趨勢、相關應用及檢測與可靠度等議題進行盤點分析。...
2021 年 04 月 07 日

三大應用持續發酵　寬能隙半導體進入爆發期

根據TrendForce調查，2018至2020年第三代半導體產業陸續受到中美貿易摩擦、疫情等影響，整體市場成長動力不足，致使年增率持續受到壓抑。然受惠於車用、工業與通訊需求挹注，2021年第三代半導體成長動能有望高速回升，其中又以GaN功率元件的成長力道最為明顯，預估其今年市場規模將達6,100萬美元，年增率高達90.6%。...
2021 年 03 月 15 日

電動車需求起飛　SiC功率元件高速成長可期

研究機構Yole Developpement預估，在2020~2026年間，插電式混和動力電動車(PHEV)跟完全以電池作為動力來源的純電動車(BEV)，將各自以37.3%與44%的複合年增率(CAGR)成長。因此，電動車使用的功率元件市場，在同期間的CAGR也將達到25.7%，預估到2026年時，電動車用功率半導體的市場規模將上看56億美元，比2020年增加3倍。...
2021 年 03 月 04 日

Cree針對電動車快充和太陽能市場推高效SiC功率模組

科銳(Cree)宣布推出Wolfspeed WolfPACK功率模組，擴展其解決方案範圍，並為包括電動車快速充電、可再生能源、儲能技術和各種工業電源應用在內的性能開啟新時代。通過採用1200V Wolfspeed...
2021 年 02 月 04 日

整合驅動器/保護功能　GaN FET搶進工業電源

傳統電源系統所使用的開關元件，主要有整合式雙金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)和絕緣柵雙極電晶體(IGBT)兩種，但若欲提高功率密度，則必須犧牲效能、外觀尺寸及散熱能力。
2021 年 01 月 21 日

瞄準汽車/工業應用　整合式GaN電源市場TI不缺席

在氮化鎵(GaN)材料開始應用在電源領域之後，扮演開關角色的GaNFET或GaN HEMT，到底要不要跟驅動器整合，成為電源管理晶片，一直是業界熱議的話題。對低電壓、小功率應用，如快速充電器而言，整合式方案跟離散元件都是可行選項，但如果是高電壓、大功率應用，驅動器與開關整合，似乎是業界的共識。繼意法半導體(ST)利用先進封裝，推出整合一對GaNFET與驅動晶片，鎖定400W以下低功率應用的整合式GaN電源管理晶片後，德州儀器(TI)也宣布推出針對汽車、工業應用設計，輸出功率可達數千瓦的整合式GaN電源解決方案。...
2020 年 11 月 12 日

英飛凌力助光寶推SMPS交換式電源供應器

數位化趨勢愈加迅速，使伺服器裝置的數量激增，連帶電源需求也不斷上揚。同時，在全球暖化的效應下，如何提升運作的能源效率成為更加重要的課題。由北美80PLUS計畫(80PLUS initiative)於2004年所制定的測量標準可用於評估及認證交換式電源供應器(SMPS)的效率。SMPS若能在定義負載條件下達到80%以上的效率，即可獲得認證。取得80PLUS認證的解決方案對於降低因數位化而日益提高的電力需求很有助益。...
2020 年 10 月 05 日
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