碳化矽SiC元件2023年產業規模達14億美元

市場研究單位Yole Développement(Yole)指出，碳化矽(SiC)電力電子產業發展具高度潛力，包括ROHM、Bombardier、Cree、SDK、STMicroelectronics、Infineon...
2018 年 08 月 02 日

SiC市場加速攀升　汽車產業成主要推手

根據市調機構Yole Developpement調查指出，全球碳化矽(SiC)功率半導體市場將從2017年的3.02億美元，快速成長至2023年的13.99億美元，2017~2023年的市場規模年複合成長率(CAGR)為29%；而隨著汽車製造商未來5~10年內於主逆變器、車載充電器(OBC)，以及直流-直流(DC-DC)轉換器等裝置皆陸續採用SiC功率半導體，汽車產業將成SiC市場加速成長的關鍵推手。...
2018 年 07 月 11 日

科銳SiC MOSFET助陣　電動車傳動效率大增

綠能意識興起，帶動電動車需求日益增長，為提升電動汽車動力傳動系統性能，科銳(CREE)旗下公司Wolfspeed近日宣布推出新款1200V碳化矽SiC MOSFET系列，可實現高電壓功率轉換，提高電動汽車動力傳動系統效率，讓電動車行駛距離更長，同時能夠降低系統成本，為消費者提供更好的綜合性能。...
2018 年 07 月 05 日

英飛凌推出第六代650V CoolSiC肖特基二極體

英飛凌科技(Infineon)近日推出650V CoolSiC肖特基二極體–G6，此項CoolSiC二極體系列的最新發展以G5的獨特特性為基礎，提供可靠性、高品質及更高的效率。CoolSiC...
2017 年 10 月 05 日

碳化矽/氮化鎵元件進入商品化　電力電子產業迎來大革命

隨著碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續應用在二極體、場效電晶體(MOSFET)等元件上，電力電子產業的技術大革命已揭開序幕。這些新元件雖然在成本上仍比傳統矽元件高出一大截，但其開關速度、切換損失等性能指標，也是矽元件難以望其項背的。這些新一代元件的商品化，為電力電子產業打開了全新的應用可能性。
2017 年 07 月 03 日

Littelfuse碳化矽蕭特基二極體具更低開關損耗

Littelfuse近日宣布推出GEN2系列1,200V碳化矽(SiC)蕭特基二極體，以配合2017年歐洲電力轉換與智慧運動(PCIM)展的開幕。此類型碳化矽二極體，是通過Littelfuse與Monolith...
2017 年 06 月 02 日

正面挑戰SiC　GaN緩步進軍中功率市場

電動車與再生能源越來越受到重視，也為聚焦於中功率、高功率的碳化矽(SiC)創造大量需求。然而，當碳化矽乘著節能減碳的浪潮，一躍成為功率電子的當紅炸子雞之際，在中、低功率應用具備優勢的氮化鎵(GaN)也緊追在後。研究機構預期，碳化矽與氮化鎵將自2020年起，在中功率市場產生競爭關係。...
2016 年 10 月 24 日

Littelfuse宣布投資碳化矽技術

Littelfuse積極布局工業和汽車用功率半導體元件市場，並於近期宣布對碳化矽技術研發領域的初創公司Monolith Semiconductor公司進行投資。碳化矽是一種發展迅速的新興半導體材料，與傳統矽相比，能使功率元件在較高的切換頻率和溫度下工作。這讓逆變器和其他能源轉換系統能夠實現更高的功率密度、能源效率並降低成本。 ...
2015 年 12 月 25 日

ST推出改良版串聯式二極體

意法半導體(ST)推出第二代串聯式二極體(Tandem Diode)，讓設計人員以高成本效益提升設備效能，目標應用於電源、太陽能逆變器以及電動交通工具充電站。 與第一代產品相比，新款二極體產品降低反向恢復電荷(Reverse-recovery...
2013 年 09 月 11 日

PV逆變器應用增溫　SiC功率元件後勢看漲

碳化矽(SiC)功率元件正快速在太陽能(PV)逆變器應用市場攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性，不僅可較傳統矽功率半導體，提供更高的電源轉換效率，更可減少所需的電容和感測器數量，已吸引愈來愈多太陽能逆變器製造商青睞。
2013 年 06 月 24 日

消耗多餘產能　LED業者跨足GaN功率元件製造

節能趨勢讓氮化鎵(GaN)功率元件日益受到市場關注，並吸引愈來愈多業者爭相投入。除既有的半導體業者外，LED製造商也已計畫將過剩的產能用於生產氮化鎵功率元件，以開闢新的獲利來源，將有助擴大氮化鎵功率元件市場滲透率。
2012 年 04 月 16 日

瑞薩電子碳化矽裝置較傳統矽功耗降低40%

瑞薩電子(Renesas Electronics)宣布開發採用碳化矽(SiC)之蕭特基阻障二極體(Schottky barrier diode, SBD)–RJS6005TDPP。碳化矽材料在功率半導體裝置領域具有相當大的發展潛力，新款SiC蕭特基阻障二極體適用於空調、通訊基地台及太陽能發電陣列等高輸出電子系統；亦整合由日立(Hitachi)與瑞薩電子共同研發的技術，相較於瑞薩電子採用傳統矽(Si)材料的現有功率裝置，可降低約40%的低功耗表現。 ...
2012 年 02 月 16 日
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