東芝第三代碳化矽MOSFET提高工業設備效率

東芝推出全新功率元件「TWxxNxxxC系列」。這是其第三代碳化矽MOSFET,具有低導通電阻和大幅降低的開關損耗。10種產品分別為5種1200V和5種650V產品,已經開始出貨。 新產品將單位面積的導通電阻(RDS(ON)A)降低了約43%,使代表傳導損耗和開關損耗之間關係的重要指標漏源導通電阻*閘-漏電荷(RDS(ON)*Qgd)降低了約80%。開關損耗也減少了約20%,因而同時降低了導通電阻和開關損耗。這些新產品可提高設備效率。...
2022 年 10 月 20 日

碳化矽MOSFET助陣 工業傳動能源效率大勝以往

由於電動馬達占了工業大部分的耗電量,工業傳動的能源效率成為一大關鍵挑戰。因此,半導體製造商必須花費大量的心神,來強化轉換器階段所使用功率元件之效能。本文將會描述無論就能源效率、散熱片尺寸或是節省成本方面來看,工業傳動不用矽基(Si)絕緣柵雙極電晶體(IGBT)而改用碳化矽(SiC)MOSFET有哪些優點。
2019 年 08 月 15 日

借助有限元分析法熱模型 碳化矽MOSFET短路一目了然

本文的目的是為分析碳化矽MOSFET短路實驗(Short Circuit Tests, SCT)的行為表現。具體而言,該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量,並借助有限元分析法物理模型來證實和比較測量值,對短路行為的動態變化進行深度評估。
2019 年 03 月 11 日