STB/智慧電視晶片導入 28奈米第二波商機駕到

新一波28奈米(nm)製程商機來臨。隨著28奈米製程技術日益成熟,加上聯電與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)產能也陸續開出,28奈米晶片設計風潮已開始由行動處理器和現場可編程閘陣列(FPGA),擴散至機上盒(STB)及智慧電視(Smart...
2013 年 07 月 29 日

聯電採用益華DFM Signoff設計流程

益華宣布經過廣泛的基準測試後,聯華電子已經採用Cadence設計中(In-design)與signoff DFM(Design-for-manufacturing)流程,執行28奈米(nm)製程設計的實體signoff與電子變異性最佳化。這個流程解決隨機與系統良率問題,為客戶提供另一個通過晶圓廠驗證的28奈米製程設計流程。這些新流程是與聯華電子合作開發的,融合DFM預防、分析和signoff功能,包括Cadence...
2013 年 07 月 24 日

縮短開發時程 晶圓廠競逐FinFET混搭製程

一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米製程的方式,加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產腳步。包括IBM授權技術陣營中的聯電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung),皆預計在2014年以14奈米FinFET前段閘極結合20奈米後段金屬導線製程的方式達成試量產目標;而台積電為提早至2015年跨入16奈米FinFET世代,初版方案亦可望採用類似的混搭技術,足見此設計方式已成為晶圓廠進入FinFET世代的共通策略。 ...
2013 年 07 月 24 日

為行動裝置電力開源節流 PMIC功能/製程邁大步

PMIC功能規格與製程方案正加速演進。行動裝置擴大導入高解析度螢幕及多核心處理器後,引發諸多電源管理技術挑戰,因此PMIC開發商正全力發展新一代高效率控制方案,並研擬導入高階拓撲和先進製程,打造數位/類比異質功能整合SoC,以全面優化系統功耗。
2013 年 07 月 08 日

擴張嵌入式版圖 飛索啟動購併/多代工廠策略

飛索(Spansion)於2013年上半年接連展開與武漢XMC和聯電分別達成32奈米(nm)和40奈米的晶圓代工合作協議,以及收購富士通半導體(Fujitsu Semiconductor)微控制器(MCU)部門布局,藉此急速擴大旗下MCU、類比及編碼型(NOR)/儲存型(NAND)快閃(Flash)記憶體的產品線陣容,壯大在嵌入式系統市占,帶動營收攀高。 ...
2013 年 06 月 27 日

大尺寸晶圓量產卡關 GaN-on-Si基板發展陷膠著

矽基氮化鎵(GaN-on-Si)基板技術發展添變數。囿於大尺寸GaN-on-Si晶圓製造良率遲遲無法提升,不少LED磊晶廠已開始考慮降低投資金額,或轉而投入技術門檻較低的功率元件應用市場,讓原本備受期待的GaN-on-Si...
2013 年 06 月 20 日

邁向異質功能整合 PMIC加速製程演進腳步

電源管理晶片(PMIC)製程正朝0.11微米(μm)和65奈米(nm)等技術節點邁進。行動裝置功能持續增加,導致設計空間吃緊且功耗管理更加困難,因此PMIC業者已開始利用先進製程,開發整合音訊編碼器、雜訊消除IC、觸控IC或DSP等數位晶片的高整合度電源方案,協助系統廠精簡零組件用量,並提升電源管理效率。 ...
2013 年 06 月 03 日

衝刺28奈米/FinFET研發 晶圓廠資本支出創新高

為爭搶先進製程商機大餅,包括台積電、格羅方德和三星等晶圓代工廠,下半年均將擴大資本設備支出,持續擴充28奈米製程產能;與此同時,受到英特爾衝刺FinFET技術研發刺激,各大晶圓廠也不斷加碼技術投資,將驅動整體晶圓代工產業支出向上飆升。
2013 年 05 月 13 日

先進製程穩紮穩打 聯電先顧40奈米金雞母

聯電將全力衝刺40奈米(nm)晶圓代工業務。不同於台積電與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)陸續宣布加速16或14奈米鰭式電晶體(FinFET)量產時程,積極卡位先進製程市場,聯電則先以擴大40奈米營收比重為主要發展重心,並將擴增高壓液晶顯示(LCD)驅動IC、嵌入式快閃記憶體等12吋晶圓利基型製程,強化營收主力。 ...
2013 年 05 月 10 日

降低先進製程風險 Foundry 2.0營運模式興起

晶圓代工市場將出現新的Foundry 2.0經營模式。由於先進製程投資劇增,經營風險愈來愈大,傳統專業晶圓代工廠或整合元件製造商(IDM)的營運方式均備受挑戰;因此已有晶圓代工業者開始推行可兼顧兩者運作優點的Foundry...
2013 年 04 月 29 日

急甩聯電 格羅方德大舉收購晶圓設備

日前茂德12吋晶圓廠出售標案,格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)從世界先進手中搶親成功,先取得約千件專攻90、65奈米(nm)以下製程的蝕刻、曝光等設備;分析師解讀,格羅方德此舉主要為補強先進製程完整性,同時以較低成本購入大量設備,用以轉換成28奈米產線,進一步拉大與聯電的市占差距。 ...
2013 年 04 月 09 日

28奈米HKMG量產慢飛 聯電毛利率低點擺盪

聯電28奈米須至今年下半年才會貢獻營收。全球一線晶圓代工廠正積極爭搶28奈米高介電質金屬閘極(HKMG)製程商機,除台積電已率先量產外,GLOBALFUNDRIES、三星近期也開始加碼擴充產能。相較之下,聯電仍處於製程研發及良率提升階段,進度明顯落後,須待今年第三季才可望量產,影響上半年整體毛利率表現。 ...
2013 年 02 月 07 日