英飛凌/Framework合作推出240W USB-C充電NB

消費者逐漸重視對於綠色環保的科技產品選項，電子垃圾以及因不易維修而被汰換的一體式筆電等議題也逐漸引起了相關消費者的關注和顧慮。為此，Framework Computer與英飛凌(Infineon)合作，推出最新產品Framework...
2024 年 04 月 15 日

英飛凌新推CoolSiC MOSFET 750V G1產品系列

英飛凌(Infineon)推出750V G1分立式CoolSiC MOSFET，以滿足工業和汽車電源應用對更高能效和功率密度日益成長的需求。該產品系列包含工業級和車規級SiC MOSFET，針對圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙主動式橋式(DAB)、HERIC、降壓/升壓和相移全橋(PSFB)拓撲結構進行了優化。這些MOSFET適用於典型的工業應用(包括電動車充電、工業馬達驅動器、太陽能和儲能系統、固態斷路器、UPS系統、伺服器/資料中心、電信等)和汽車領域(包括車載充電器(OBC)、直流-直流轉換器等)。...
2024 年 04 月 02 日

英飛凌推出OptiMOS 6 200V MOSFET

英飛凌(Infineon)推出OptiMOS 6 200V MOSFET產品系列，使馬達驅動應用取得了飛躍性的進展。全新產品組合將為電動摩托車、微型電動車和電動堆高機等應用提供出色的性能。 新款MOSFET產品的導通損耗和開關性能都更加優化，降低了電磁干擾(EMI)和開關損耗，有益於用於伺服器、電信、儲能系統(ESS)、音訊、太陽能等用途的各種開關應用。此外，憑藉寬安全工作區(SOA)和優秀的RDS(on)，該產品系列適合電池管理系統等靜態開關應用。全新推出的英飛凌OptiMOS...
2024 年 04 月 01 日

電動車衝擊電網穩定　充電設備功能要求更全面(1)

電動車銷售量在過去幾年出現爆發式成長，電動車充電對電網穩定度的影響也隨之浮現。負責為電動車充電的充電樁首當其衝，不僅要持續提高功率密度跟效率，還必須考慮雙向傳輸以及與儲能系統連動等新的需求。 雖然各方均預期2024年將是電動車銷售量成長趨緩的一年，但經歷過去幾年爆發成長(圖1)後，目前全世界已經有數千萬輛電動車在路上奔馳。早在電動車風潮剛興起的時候，就有專家預估，數量龐大的電動車將成為電網穩定的隱憂。...
2024 年 03 月 28 日

電動車衝擊電網穩定　充電設備功能要求更全面(2)

電動車銷售量在過去幾年出現爆發式成長，電動車充電對電網穩定度的影響也隨之浮現。負責為電動車充電的充電樁首當其衝，不僅要持續提高功率密度跟效率，還必須考慮雙向傳輸以及與儲能系統連動等新的需求。 充電樁串接BESS值得觀察...
2024 年 03 月 28 日

晶片大廠無人機布局動作多　探索新應用為首要目標

消費型與商用無人機市場成長雖已放緩，但軍用、6G等新應用，將為無人機搭建新舞台。因此，許多晶片大廠已開始進行嘗試性布局，先以通用硬體搭配客製化軟體，測試市場水溫。 根據德國無人機產業專業研究機構DII(Drone...
2024 年 03 月 26 日

英飛凌推出新一代ZVS返馳式轉換器晶片組

隨著USB-C PD充電技術的日益普及，整體消費市場對相容性強的充電器的需求也在增加。如今，使用者需要功能強大而又設計精簡的適配器。英飛凌(Infineon)推出的二次側控制ZVS返馳式轉換器晶片組EZ-PD...
2024 年 03 月 26 日

英飛凌推出新一代碳化矽技術CoolSiC MOSFET G2

英飛凌(Infineon)推出新一代碳化矽(SiC)MOSFET溝槽式技術，與上一代產品相比，全新的CoolSiC MOSFET 650V和1200V Generation 2技術在確保品質和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標(如能量和電荷儲量)提高了20%，不僅提升了整體能效，更進一步推動了低碳化進程。...
2024 年 03 月 22 日

寬能隙電晶體帶來雙重優勢　電動車OBC效能更上層樓(1)

為了避免讓電動車成為破壞電網穩定的元凶，甚至反過來讓電動車成為電網的安定因子，基於寬能隙元件技術的雙向OBC，將是未來的發展趨勢。 在汽車產業，從底盤到動力傳動、資訊娛樂、連線功能和駕駛輔助系統，車輛設計的幾乎所有方面都在快速發展和創新。純電動車(BEV)若要快速且廣泛地普及，就必須解決充電時間對駕駛人造成的擔憂和壓力，尤其是在長途公路的旅途中。毫無疑問，車載充電器(OBC)設計比大多數領域受到更嚴格的檢視。...
2024 年 03 月 21 日

寬能隙電晶體帶來雙重優勢　電動車OBC效能更上層樓(2)

為了避免讓電動車成為破壞電網穩定的元凶，甚至反過來讓電動車成為電網的安定因子，基於寬能隙元件技術的雙向OBC，將是未來的發展趨勢。 創新封裝和散熱方法實現全新散熱設計 然而，在認識WBG技術所帶來優勢的同時，設計人員也必須意識到，散熱效能的改善，是實現這些重要目標的關鍵所在。...
2024 年 03 月 21 日

英飛凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000V產品

英飛凌(Infineon)推出採用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC MOSFET 2000V裝置，不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也不會降低系統可靠性。...
2024 年 03 月 19 日

英飛凌/Worksport利用GaN升級可攜式發電站

英飛凌(Infineon)宣布與Worksport合作，共同利用氮化鎵(GaN)降低可攜式發電站的重量和成本。Worksport將在其可攜式發電站轉換器中使用英飛凌的GaN功率半導體GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在採用英飛凌GaN電晶體後，該功率轉換器將變得更輕、更小，系統成本也將隨之降低。此外，英飛凌還將幫助Worksport優化電路和布局設計，進一步縮小尺寸並提高功率密度。...
2024 年 03 月 18 日
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