衝刺28奈米/FinFET研發 晶圓廠資本支出創新高

為爭搶先進製程商機大餅,包括台積電、格羅方德和三星等晶圓代工廠,下半年均將擴大資本設備支出,持續擴充28奈米製程產能;與此同時,受到英特爾衝刺FinFET技術研發刺激,各大晶圓廠也不斷加碼技術投資,將驅動整體晶圓代工產業支出向上飆升。
2013 年 05 月 13 日

急甩聯電 格羅方德大舉收購晶圓設備

日前茂德12吋晶圓廠出售標案,格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)從世界先進手中搶親成功,先取得約千件專攻90、65奈米(nm)以下製程的蝕刻、曝光等設備;分析師解讀,格羅方德此舉主要為補強先進製程完整性,同時以較低成本購入大量設備,用以轉換成28奈米產線,進一步拉大與聯電的市占差距。 ...
2013 年 04 月 09 日

爾必達破產衝擊 全球DRAM勢力板塊大挪移

日本記憶體大廠爾必達日前無預警宣布破產,不僅為DRAM產業投下一顆震撼彈,更讓韓系記憶體廠有機可乘,特別是已掌握全球DRAM市場45%市占率的三星,將有機會一舉壯大,在2012年取得過半的占有率,讓全球記憶體市場重新洗牌。
2012 年 03 月 19 日