瑞薩電子碳化矽裝置較傳統矽功耗降低40%

瑞薩電子(Renesas Electronics)宣布開發採用碳化矽(SiC)之蕭特基阻障二極體(Schottky barrier diode, SBD)–RJS6005TDPP。碳化矽材料在功率半導體裝置領域具有相當大的發展潛力,新款SiC蕭特基阻障二極體適用於空調、通訊基地台及太陽能發電陣列等高輸出電子系統;亦整合由日立(Hitachi)與瑞薩電子共同研發的技術,相較於瑞薩電子採用傳統矽(Si)材料的現有功率裝置,可降低約40%的低功耗表現。 ...
2012 年 02 月 16 日