Lam Research推出晶邊沉積方案 晶圓良率更上層樓

在晶圓製造的過程中,一再重複的製程很容易導致殘留物和微粗糙沿著晶圓邊緣積聚,降低晶片生產良率。為解決此一問題,科林研發(Lam Research)近日發表了一款晶邊沉積解決方案,藉由在晶圓邊緣兩側沉積一層專有保護膜,可防止殘留物和微粗糙堆積在晶圓邊緣,進而提升良率。...
2023 年 06 月 28 日

3D NAND/10奈米加溫 晶圓廠設備支出有望擴增

3D NAND Flash與10奈米技術將驅動晶圓廠加碼設備投資。應用材料(Applied Materials)預估2016年晶圓廠設備支出相對於2015年將呈現持平表現,但仍有潛在的上升空間,包括記憶體廠商擴增3D...
2016 年 01 月 25 日

突破蝕刻技術關卡 3D記憶體位元密度再升級

三維高容量儲存型快閃記憶體(3D NAND Flash)位元密度可望更上層樓。受惠於半導體設備日趨精益,3D記憶體架構已可在有限的尺寸中,透過可實現高深寬比例的蝕刻技術,為3D記憶體在大小不一的溝槽中加入更多電晶體,精進其效能與儲存容量。 ...
2012 年 07 月 06 日