工研院技術突破 超低電壓晶片/NVRAM量產有望

鎖定行動裝置低耗電設計要求,工研院正全力發展0.6伏特以下超低電壓晶片,及低功耗非揮發性記憶體(NVRAM),並於近期展示初步研發成果;此將協助台灣IC設計業者提高SoC與記憶體技術實力,與美、日、韓業者爭搶行動裝置核心零組件商機。
2013 年 02 月 25 日

趕上英特爾/TI 工研院突破超低電壓設計瓶頸

工研院揭櫫超低電壓晶片技術重大進展。工研院資通所攜手台積電、晶心科技、中正與交通大學,於25日發布超低電壓晶片技術;透過該技術所打造的晶片,操作電壓可降到0.6 V以下外,未來在應用處理器、能源管理及影像晶片設計領域將大有可為,有助台灣晶片商趕上英特爾(Intel)、德州儀器(TI)等國際大廠的研發腳步。 ...
2012 年 12 月 26 日