英飛凌CoolSiC MOSFET與TRENCHSTOP IGBT推出Easy 2B封裝

相較於傳統三階中點箝位拓撲,進階中點箝位(ANPC)變頻器設計可支援半導體裝置間的均勻損耗分佈。英飛凌科技旗下1200 V系列混合式SiC與IGBT功率模組新增採用ANPC拓撲 EasyPACK 2B封裝。此模組分別針對CoolSiC...
2019 年 08 月 12 日