IR MOSFET採用PQFN封裝

國際整流器(IR)推出一系列新型HEXFET功率金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET),當中包括能夠提供業界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。這些新功率MOSFET具備IR最先進的矽技術,亦是該公司首批採用5毫米×6毫米PQFN封裝,並配備經優化的銅鉗和焊接晶片的元件。 ...
2010 年 03 月 16 日