科林研發ALTUS Halo實現鉬的原子層沉積

Lam Research科林研發推出ALTUS Halo─這是全球首款利用金屬鉬的特性來生產先進半導體的原子層沉積(ALD)設備。藉由多項專利創新技術,ALTUS Halo可為先進半導體元件提供低電阻率金屬填充、以及無空隙鉬金屬化的高精度沉積。ALTUS...
2025 年 03 月 04 日