CPO突破半導體極限 矽光子晶片即將上陣(1)

矽光子技術已成為半導體產業的關鍵研發核心,若能將處理光訊號的光波導元件整合到矽晶片上,同時處理電訊號和光訊號,便可達到縮小元件尺寸、減少耗能、降低成本的目標。 2020年Intel就已提出矽光子將是先進封裝技術的發展關鍵,如今四年過去,矽光子技術已真正成為半導體產業的關鍵研發核心,並預計兩年後將完成整合正式上陣。面對這次的「電」去「光」來新革命,業界廠商需要做足準備。...
2024 年 08 月 07 日

CPO突破半導體極限 矽光子晶片即將上陣(2)

矽光子技術已成為半導體產業的關鍵研發核心,若能將處理光訊號的光波導元件整合到矽晶片上,同時處理電訊號和光訊號,便可達到縮小元件尺寸、減少耗能、降低成本的目標。 (承前文)PIN是由一組高摻雜P(p+)型區和N(n+)型區之間,夾著一層本質(Intrinsic)區所組成。在負偏壓下二極體的空乏寬度(Wd),會擴展至整個本質層。如圖2下能帶結構所示,當入射到本質層中的光子被吸收後,於導電和價電帶間產生電子——電洞對的漂移而形成電流。在矽光子元件的研發中最重要的方向,就是在不影響常規CMOS元件的特性下,透過調整光電偵測器PIN的製程,且能使效能與頻寬達到最佳化。...
2024 年 08 月 07 日

強化先進製程技術 新材料運用蓄勢待發

物聯網、工業自動化、人工智慧、自動駕駛、5G通訊等應用對晶片性能要求越來越高,為此,除了半導體技術、架構須持續演進外,材料也是推動半導體先進製程的其中一項關鍵。為此,半導體材料供應商如英特格(Entegris) ,便致力投入先進材料測試、發展,並提供半導體生態系統一貫的解決方案,協助晶圓代工、封裝等業者因應各種挑戰。...
2019 年 10 月 07 日

因應10奈米/3D IC製程需求 半導體材料/封裝技術掀革命

半導體材料與封裝技術即將改朝換代。因應晶片製程邁向10奈米與立體設計架構,半導體廠正全力投入研發矽的替代材料,讓電晶體在愈趨緊密的前提下加強電洞和電子遷移率;同時也持續擴大高階覆晶封裝技術和產能布局,以加速3D...
2013 年 04 月 15 日

半導體材料掀革命 10nm製程改用鍺/III-V元素

半導體材料即將改朝換代。晶圓磊晶層(Epitaxy Layer)普遍採用的矽材料,在邁入10奈米技術節點後,將面臨物理極限,使製程微縮效益降低,因此半導體大廠已相繼投入研發更穩定、高效率的替代材料。其中,鍺(Ge)和三五族(III-V)元素可有效改善電晶體通道的電子遷移率,提升晶片效能與省電效益,已被視為產業明日之星。 ...
2013 年 03 月 15 日