引領半導體技術新浪潮 國內研究團隊突破鐵電材料極限

由國立臺灣師範大學物理系藍彥文教授與陸亭樺教授所組成的聯合研究團隊在鐵電材料領域取得重大突破,開發出基於二維材料二硫化鉬的創新鐵電電晶體(ST-3R MoS2 FeS-FET),創造出僅有1.3奈米厚度,以及低操作電壓的鐵電材料半導體元件,解決了傳統鐵電電晶體縮小尺寸、降低功耗的難題,在未來可以作為非揮發性記憶體及低功率電子元件應用,有望成為先進的半導體技術的核心,提升我國半導體國際競爭力。研究成果已於2023年11月底正式發表於國際知名學術期刊《自然電子》(Nature...
2024 年 02 月 21 日