ST絕緣閘極雙極性電晶體具低導通及關斷耗損

意法半導體(ST)推出S系列1200伏特(V)絕緣閘極雙極性電晶體(IGBT)。當開關頻率達到8kHz時,新系列的雙極元件擁有較低的導通及關斷耗損,提升不間斷電源、太陽能發電、電焊機、工業馬達驅動器等相關設備的電源轉換效率。 ...
2015 年 07 月 01 日