瑞薩推出新一代用於電動汽車逆變器矽IGBT

瑞薩電子(Renesas)宣布開發新一代矽絕緣柵雙極電晶體(Si-IGBT),以提供低功率損耗且小型的封裝。針對新一代電動汽車(EV)逆變器的AE5 IGBT將於2023年上半年開始在瑞薩位於日本那珂市工廠的200和300毫米產線上生產。此外,瑞薩位於日本甲府市工廠新的300毫米功率半導體產線也將從2024年上半年開始量產,以滿足對功率半導體產品不斷增長的需求。...
2022 年 09 月 01 日