先進成像結合AI技術 晶片缺陷檢測更精準

隨著半導體產業邁向下一代3D架構,業界對能讓良率在更短時間內達到量產水準的製程控制解決方案的需求日益增加。閘極全環(GAA)電晶體、極紫外光(EUV)微影和更小的記憶體裝置,對檢測技術提出了新的挑戰,因為檢測設備必須能檢測出埋在3D結構內的缺陷。而且,隨著關鍵尺寸縮小,這些缺陷的尺寸可能只有數奈米,甚至只有幾粒原子的厚度。...
2024 年 07 月 30 日

1x奈米挑戰劇增 電子束車拼光學晶圓檢測技術

1x奈米製程將引燃晶圓缺陷檢測技術新戰火。光學檢測囿於解析度限制,已無法滿足1x奈米晶圓驗證要求,遂使得新一代電子束技術快速嶄露頭角;不過,現階段電子束檢測效率仍低,須待可多支電子槍同步掃描的多重電子束技術成熟後,方能進一步擴大市占率。
2013 年 09 月 12 日

瞄準16/14nm檢測需求 漢微科明年產能翻三倍

半導體電子束檢測(E-beam Inspection)設備龍頭漢微科正全速擴產。繼28和20奈米(nm)之後,2015年晶圓代工廠紛紛跨入16或14奈米鰭式電晶體(FinFET)世代,對高解析度的電子束檢測設備需求將更加強勁,因而帶動漢微科提早展開布局,將於2013~2014年投入新台幣10億元擴建新廠房,並於2014下半年正式投產,挹注三倍設備產能。 ...
2013 年 08 月 02 日