IR高速IGBT電壓範圍擴充至1400V

國際整流器(IR)推出高速1,400伏特(V)溝槽型絕緣閘雙極電晶體(IGBT)IRG7PK35UD1PbF,新元件優化電磁爐及微波爐等軟開關產品。 IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示,IRG7PK35UD1PBF憑藉IR的1,400伏特場截止溝槽型技術,把感應加熱及軟開關產品內的導通和開關損耗減低,進而提升系統可靠性。 ...
2014 年 03 月 24 日

恩智浦雙極性電晶體採用LFPAK56封裝

恩智浦(NXP)推出首款採5毫米(mm)×6毫米×1 毫米超薄LFPAK56(SOT669)表面黏著型(SMD)電源塑封的雙極性電晶體。 恩智浦電晶體產品經理Joachim Stange表示,恩智浦LFPAK封裝將成為雙極性電晶體領域精巧型電源封裝的標準,如同恩智浦LFPAK如今成為金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)產業標準一樣。 ...
2014 年 03 月 12 日

Mouser供應ROHM最小尺寸封裝電晶體

Mouser Electronics宣布開始供應ROHM Semiconductor的全球最小電晶體封裝,該產品適用於輕薄短小的可攜式裝置。 ROHM超精巧金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)與雙極性電晶體採用市場上尺寸最小的電晶體封裝,並已針對輕薄短小的可攜式裝置進行最佳化。...
2013 年 08 月 14 日

下世代功率半導體競技賽開打 GaN/SiC爭搶主流寶座

基於GaN與SiC材料的新世代功率半導體技術之間的戰火,近期再度升溫,尤其在首款SiC功率半導體商品成功問世後,更讓SiC技術聲勢大漲;面對SiC技術急起直追,已推出低電壓功率產品的GaN陣營亦不甘示弱,正積極朝向更高電壓市場邁進。
2011 年 05 月 30 日

導入3D 英特爾22奈米處理器年底量產

半導體電晶體結構將正式由平面式進入三維(3D)時代。英特爾(Intel)5日宣布將於22奈米製程處理器(內部代號為Ivy Bridge)中,首度採用3D結構的電晶體設計,除電晶體整合密度更甚以往,效能顯著提升外,由於可在更低電壓下運作,耗電量也大幅降低,預計今年底即可開始量產。 ...
2011 年 05 月 09 日

商用進展邁大步 SiC功率半導體前景看俏

繼科銳(Cree)於今年1月中發表業界首款商用碳化矽(SiC)功率金屬氧化物半導體場效電晶體(Power MOSFET)後,快捷(Fairchild)日前也宣布收購TranSiC,正式跨入碳化矽功率半導體領域;此外,包爾英特(...
2011 年 04 月 26 日

10年來頭一遭 功率電晶體銷售成長率達31%

隨著半導體市場逐漸從谷底攀升,功率電晶體(Power Transistor)的銷售量也與日俱增。根據IC Insights最新研究報告指出,在歷經2009年驟跌16%後,功率電晶體銷售可望在2010年成長31%,達到109億6,000萬美元的規模,是2000年創下32%的銷售成長率紀錄後,首度重新突破30%成長大關的新紀錄。 ...
2010 年 04 月 29 日

新場效電晶體問世 NexFET開關損耗特性耀眼

目前在200伏特以下輸入電壓的電源應用中,MOSFET已成為業界最常用的電源開關。隨著時序進入21世紀,業界出現採用較高切換頻率直流對直流(DC-DC)轉換器的趨勢,因此對MOSFET的開關耗損要求變得更加嚴苛,而第三代NexFET電源MOSFET即是將改良重點放在改進開關的動態效能上。
2010 年 04 月 22 日

瑞薩開始量產十二款功率MOSFET

瑞薩(Renesas)發表十二款適用於隔離式直流對直流(DC-DC)整流器之第十代功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET),可用於伺服器、通訊設備、工業設備等電源供應器。  ...
2009 年 12 月 24 日