大聯大世平推基於onsemi高頻小型化工業電源方案

在雙碳話題愈演愈烈的當下,以GaN氮化鎵/SiC碳化矽為材料的功率半導體器件進入了加速發展車道。GaN和SiC被稱為寬帶隙半導體(WBG),具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率、抗輻射等優異特性,可以幫助產品實現更高的開關效率,大聯大世平推出基於安森美(onsemi)...
2022 年 01 月 17 日