TI推48V馬達驅動器　加速MHEV上市

順應各國政府陸續提出的降低碳排放政策，電動車技術的研發及市場成長速度飛快。為了協助汽車製造商快速製造油電混合車，以達到政府的法規要求，德州儀器(TI)推出馬達驅動器DRV3255-Q1，提供客戶小尺寸且高安全性的應用選擇。...
2021 年 03 月 08 日

東芝推行動裝置/家用電器用PWM控制雙H橋馬達驅動IC

東芝(Toshiba)推出H橋馬達驅動器TC78H660FNG，該驅動器採用TSSOP16封裝及廣泛使用的引腳分配。這是東芝直流(DC)有刷馬達和步進馬達驅動器系列中的最新成員，適用於包括行動裝置和家用電器在內的眾多應用。...
2020 年 12 月 16 日

東芝與Mikro合作推出馬達驅動IC開發評估板

東芝電子元件及儲存裝置株式會社宣布與MikroElektronika合作推出搭載東芝馬達驅動IC的Click boards開發評估板。Mikroe是一家設計和製造用於嵌入式系統開發的軟硬體工具的公司。客戶可透過Mikroe線上銷售直接訂購Click...
2020 年 08 月 21 日

東芝MOSFET採新製程提高電源效率

東芝(Toshiba)日前推出80V N溝道功率MOSFET為採用最新一代製程的「U-MOS X-H系列」。 產品適用於資料中心和通訊基地台中所用的工業設備的開關電源。 新產品為兩款封裝，一款為採用表面黏著SOP...
2020 年 04 月 30 日

MOSFET/封裝設計/切換頻率最佳化　服務型機器人驅動再進步

市場準備度、技術成熟度和交付價值等情況形成的完美風暴，促進機器人廣泛應用於工業和消費領域(圖1)。近年來，機器人的半導體技術發展突飛猛進。新型功率半導體可實現更高效、可靠和多向度的服務型機器人設計。
2020 年 04 月 12 日

東芝100V N通道功率MOSFET助降低車用設備功耗

東芝(Toshiba)日前推出100V N通道功率金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)—XK1R9F10QB，其適用於汽車的48V設備應用，例如負載開關、開關電源和馬達驅動。出貨即日啟動。...
2020 年 03 月 16 日

Power Integrations發布BLDC馬達驅動器IC系列新品

Power Integrations近日宣布推出BridgeSwitch整合半橋式(IHB)馬達驅動器IC系列。BridgeSwitch IC採用高壓側和低壓側進階快速恢復型二極體場效應電晶體(FREDFET)，同時整合了無功損電流感測功能，使得無刷直流(BLDC)馬達驅動器應用中的變頻器轉換效率高達98.5%，達到300W。與IHB驅動器提供的分布式散熱占位面積相比，該產品無需散熱片，從而降低了系統成本和重量。整合無功損電流感測、匯流排電壓感測和系統級散熱感測，使得該裝置系列成為家電應用中BLDC馬達的理想選擇。BridgeSwitch裝置面向冰箱壓縮機、HVAC系統風扇以及其他住宅和輕型商用泵、風扇和送風機。...
2018 年 11 月 23 日

東芝推直流馬達驅動IC新品

東芝近日推出一款全新並量產的整合式雙H橋有刷直流馬達驅動器IC–TB67H401FTG，其配備有額定值為50V/3.0A的輸出限流器。此款IC適用於辦公室設備、ATM、家電用品、掃地機器人等需要監控和回饋馬達狀態的應用場合。這些設備常採用有刷直流馬達，近年來越來越受到歡迎。...
2018 年 10 月 17 日

英飛凌新品適用於1kW小型馬達驅動

英飛凌(Infineon)推出新一代TRENCHSTOP IGBT6技術。此分立式產品具備650V阻斷電壓，並針對需要長使用時間、高可靠性及高效率的特定應用進行最佳化，例如：主要家電與小型家電、工業縫紉機，以及用於風扇、幫浦及其他BLDC馬達中的通用型馬達。...
2018 年 08 月 30 日

馬達驅動應用求小巧/穩定/高效能　MOSFET新技術富潛力

隨著馬達驅動市場對系統的能效、尺寸和穩健性的要求越來越高。為滿足市場需求，半導體廠商針對不同的運作狀況提供多種功率切換技術，例如IGBT、超高速功率(UltraFAST) MOSFET和最新的超接面功率MOSFET。
2017 年 11 月 02 日

Diodes 推出兩款高頻閘極驅動 IC

Diodes 推出的 DGD0506 和 DGD0507 高頻閘極驅動 IC，專門設計用於驅動半橋組態 下的兩部外接 N 溝道 MOSFET。50V 的額定值可滿足各種馬達驅動需求，特別是無 刷直流(BLDC)馬達，這類馬達越來越常用在電池供電的應用上，像是無人機、風...
2017 年 05 月 09 日

IR擴展中壓功率MOSFET產品系列

功率半導體和管理方案廠商國際整流器(International Rectifier, IR)擴展其HEXFETR功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)產品系列，提供完整的中壓元件陣營。採用5毫米×6毫米PQFN封裝，並具有經過最佳化的銅夾和焊接晶片技術。 ...
2010 年 07 月 06 日
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