因應10奈米/3D IC製程需求 半導體材料/封裝技術掀革命

半導體材料與封裝技術即將改朝換代。因應晶片製程邁向10奈米與立體設計架構,半導體廠正全力投入研發矽的替代材料,讓電晶體在愈趨緊密的前提下加強電洞和電子遷移率;同時也持續擴大高階覆晶封裝技術和產能布局,以加速3D...
2013 年 04 月 15 日

卡位10奈米世代 台積、漢辰搶布新製程/設備

台積電與漢辰正積極研發新製程與設備技術。由於半導體進入10奈米製程世代後,電晶體的微縮將面臨物理極限,亟需新的材料、製程與設備加以克服;因此台積電與漢辰皆已針對未來可望取代矽的鍺和三五族元素,分別投入發展新的晶圓製程,以及離子布植(Ion...
2013 年 03 月 28 日

半導體材料掀革命 10nm製程改用鍺/III-V元素

半導體材料即將改朝換代。晶圓磊晶層(Epitaxy Layer)普遍採用的矽材料,在邁入10奈米技術節點後,將面臨物理極限,使製程微縮效益降低,因此半導體大廠已相繼投入研發更穩定、高效率的替代材料。其中,鍺(Ge)和三五族(III-V)元素可有效改善電晶體通道的電子遷移率,提升晶片效能與省電效益,已被視為產業明日之星。 ...
2013 年 03 月 15 日

不再只聞樓梯響 18吋晶圓量產時程表出爐

18吋晶圓技術發展終於步上軌道。在G450C、SEMI及半導體設備大廠共同努力下,18吋晶圓製程設備及標準可望在2016年後逐一到位,將助力半導體產業在2018年順利從12吋晶圓,邁入18吋晶圓世代,包括台積電、英特爾均已揭露量產時程。
2012 年 10 月 04 日

延續摩爾魂 G450C揭櫫18吋晶圓量產計畫

18吋晶圓研發能量日益壯大。全球18吋晶圓推動聯盟(G450C)已在美國紐約州奈米科學與工程學院(CNSE)的12吋晶圓廠,安裝十一台18吋晶圓生產設備,並將於今年12月進一步打造首座18吋晶圓無塵室(Cleanroom)。此外,該聯盟亦計畫在2016年,釋出193i微影測試設備並建立整條18吋晶圓測試產線,以延續摩爾定律(Moore’s...
2012 年 09 月 14 日