改善光源/生產力 EUV拼10奈米量產商用

採用極紫外光(EUV)微影(Lithography)設備的10奈米製程量產在即。艾司摩爾(ASML)已開發出第三代EUV微影方案–NXE:3300B,大幅提升光源效能和生產力(Throughput),並計畫於2016年底前,達到每天曝光一千五百片晶圓目標,助力客戶加速啟動10奈米互補式金屬氧化物半導體(CMOS)製程量產。 ...
2014 年 09 月 15 日

布局3D NAND技術 SanDisk與東芝合力擴建Fab 5

SanDisk於日前表示,正與東芝(Toshiba)合力擴建位於日本三重縣四日市的五號半導體製造工廠(Fab 5)第二期工程,並共同展開3D NAND記憶體技術的研發,為2D NAND Flash記憶體製程將於10奈米(nm)節點面臨微縮瓶頸,預做準備。 ...
2013 年 07 月 16 日
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