意法半導體18奈米技術提升新一代MCU成本競爭力

意法半導體(ST)推出了一項18奈米完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體(Fully Depleted Silicon On Insulator, FD-SOI)技術並整合嵌入式相變記憶體(ePCM)的先進製程,支援下一代嵌入式處理器進化升級。這項新製程技術是意法半導體和三星晶圓代工廠共同研發,使嵌入式處理應用能夠大幅提升性能和降低功耗,同時還能整合容量更大的記憶體和更多的類比和數位外部周邊。搭載新技術的首款下一代STM32微控制器產品將於2024下半年開始提供部分客戶樣片,並預計於2025年下半年排產。...
2024 年 03 月 28 日