專訪是德科技資深副總裁Guy Senee　4G引爆量測儀器銷量激增

安捷倫(Agilent Technologies)電子量測事業群於2014年8月正式獨立成為是德科技(Keysight Technologies)，11月初將在美國紐約證交所(NYSE)掛牌上市。日前，是德科技資深副總裁暨量測方案全球營運總經理Guy...
2014 年 11 月 06 日

1x奈米節點商機發酵　半導體設備廠迎利多

1x奈米先進製程商機日益興旺。除台積電之外，三星(Samsung)、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)、聯電等晶圓代工廠亦於近日紛紛公布未來14奈米製程試產時程，刺激應用材料(Applied Materials)、科磊(KLA-Tencor)、漢微科等半導體設備廠，加緊擴大1x奈米製程世代的產品布局，搶搭此一商機。 ...
2014 年 07 月 04 日

1x奈米挑戰劇增　電子束車拼光學晶圓檢測技術

1x奈米製程將引燃晶圓缺陷檢測技術新戰火。光學檢測囿於解析度限制，已無法滿足1x奈米晶圓驗證要求，遂使得新一代電子束技術快速嶄露頭角；不過，現階段電子束檢測效率仍低，須待可多支電子槍同步掃描的多重電子束技術成熟後，方能進一步擴大市占率。
2013 年 09 月 12 日

創新STI蝕刻技術助攻　20奈米製程良率大增

半導體製程微縮到20奈米後，晶圓溝槽輪廓的深寬比和形狀均勻度變得極為重要，即便是些微的變異都會對良率造成不可忽視的影響，因此業界已開發出新的淺溝槽隔離(STI)電漿蝕刻技術，以克服邊緣溝槽輪廓控制及圖案崩毀等挑戰。
2013 年 09 月 09 日

爭搶1x奈米代工商機　晶圓廠決戰FinFET製程

鰭式電晶體(FinFET)將成晶圓廠新角力戰場。為卡位16/14奈米市場商機，台積、聯電和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)正傾力投資FinFET技術，並各自祭出供應鏈聯合作戰策略，預計將於2014～2015年陸續投入量產，讓晶圓代工市場頓時硝煙彌漫。
2013 年 09 月 02 日

中低階行動裝置竄紅　半導體業投資策略轉彎

中國大陸點燃中低價行動裝置龐大需求，已牽動半導體產業改變投資策略。隨著高單價的高階行動裝置買氣趨緩，晶片商已將火力轉向平均銷售價格(ASP)較低的中低階行動裝置市場；因應此一趨勢，晶圓代工業者也啟動新的設備採購計畫或提高自製比重，並利用已攤提完畢的八吋廠產線部署高毛利的高壓特殊製程，以發揮更大的投資效益。 ...
2013 年 08 月 14 日

瞄準16/14nm檢測需求　漢微科明年產能翻三倍

半導體電子束檢測(E-beam Inspection)設備龍頭漢微科正全速擴產。繼28和20奈米(nm)之後，2015年晶圓代工廠紛紛跨入16或14奈米鰭式電晶體(FinFET)世代，對高解析度的電子束檢測設備需求將更加強勁，因而帶動漢微科提早展開布局，將於2013～2014年投入新台幣10億元擴建新廠房，並於2014下半年正式投產，挹注三倍設備產能。 ...
2013 年 08 月 02 日

集中火力攻FinFET　聯電確定不玩20奈米

聯電將跳過20奈米(nm)製程節點，全力卡位14奈米鰭式電晶體(FinFET)市場。由於20奈米研發所費不貲，加上市場需求仍不明朗，因此聯電已計畫在量產28奈米後，直接跨過20奈米節點，加速挺進更具投資效益的14奈米FinFET世代，以與台積電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)一較高下。 ...
2013 年 07 月 30 日

縮短開發時程　晶圓廠競逐FinFET混搭製程

一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米製程的方式，加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產腳步。包括IBM授權技術陣營中的聯電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預計在2014年以14奈米FinFET前段閘極結合20奈米後段金屬導線製程的方式達成試量產目標；而台積電為提早至2015年跨入16奈米FinFET世代，初版方案亦可望採用類似的混搭技術，足見此設計方式已成為晶圓廠進入FinFET世代的共通策略。 ...
2013 年 07 月 24 日

FinFET改變戰局　台積將組大聯盟抗三星/Intel

晶圓代工廠邁入高投資與技術門檻的鰭式場效電晶體(FinFET)製程世代後，與整合元件製造商(IDM)的競爭將更為激烈，因此台積電正積極籌組大聯盟(Grand Alliance)，串連矽智財(IP)、半導體設備/材料，以及電子設計自動化(EDA)供應商等合作夥伴的力量，強化在FinFET市場的競爭力。...
2013 年 07 月 22 日

先進製程布局各有盤算　GF/聯電爭搶晶圓榜眼

格羅方德(GLOBALFOUNDRIES, GF)與聯電為爭奪晶圓代工市占第二寶座正競相出招。前者除積極擴產28奈米製程外，更計畫於明後年擴大資本支出，加速14、10奈米FinFET量產時程；後者則先衝刺40奈米及特殊製程服務營收，並在28奈米以下製程發展上穩紮穩打。
2013 年 06 月 10 日

導入大小核架構/3D IC設計　行動處理器邁向更高整合

行動裝置規格升級帶動處理器設計架構轉變。行動裝置對輕薄、功耗及成本的要求日益嚴苛，除刺激聯發科、三星等大廠爭相採用big.LITTLE大小核架構設計新一代處理器外，亦驅動半導體廠加緊研發3D IC，以滿足市場對更高整合度處理器的需求。
2013 年 06 月 03 日
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