20nm/3D IC技術撐腰 賽靈思猛攻視覺/網路應用

賽靈思(Xilinx)將以20奈米(nm)、3D IC製程做為核心戰力,加快FPGA取代ASIC、ASSP的腳步。ASIC及ASSP導入先進製程後,設計成本將高得嚇人,使得系統廠轉搭可編程邏輯元件(PLD)的意願已愈來愈高,因此賽靈思已加快20奈米FPGA量產和3D...
2013 年 05 月 29 日

手機晶片加速整合 3D IC非玩不可

3D IC將是半導體業者站穩手機晶片市場的必備武器。平價高規智慧型手機興起,已加速驅動內部晶片整合與製程演進;然而,20奈米以下先進製程研發成本極高,但所帶來的尺寸與功耗縮減效益卻相對有限,因此半導體廠已同步展開3D...
2013 年 05 月 23 日

先進製程穩紮穩打 聯電先顧40奈米金雞母

聯電將全力衝刺40奈米(nm)晶圓代工業務。不同於台積電與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)陸續宣布加速16或14奈米鰭式電晶體(FinFET)量產時程,積極卡位先進製程市場,聯電則先以擴大40奈米營收比重為主要發展重心,並將擴增高壓液晶顯示(LCD)驅動IC、嵌入式快閃記憶體等12吋晶圓利基型製程,強化營收主力。 ...
2013 年 05 月 10 日

降低先進製程風險 Foundry 2.0營運模式興起

晶圓代工市場將出現新的Foundry 2.0經營模式。由於先進製程投資劇增,經營風險愈來愈大,傳統專業晶圓代工廠或整合元件製造商(IDM)的營運方式均備受挑戰;因此已有晶圓代工業者開始推行可兼顧兩者運作優點的Foundry...
2013 年 04 月 29 日

賽靈思20奈米產品將於2013年第二季試產

賽靈思(Xilinx)宣布將在2013年第二季率先試產20奈米產品,採用台積電的20SoC製程,並準備在2013年向多家策略合作的客戶送樣,讓他們可開始開發新一代應用。   ...
2013 年 02 月 02 日

衝刺效能表現 SoC FPGA邁向28/20奈米

28、20奈米(nm)現場可編程閘陣列(FPGA)壯大發展聲勢。繼賽靈思(Xilinx)先出手打造28奈米FPGA大軍後,Altera也將在今年第四季發布三款28奈米系統單晶片(SoC)FPGA參考設計,並於明年推進至20奈米及三維晶片(3D...
2012 年 12 月 23 日

賽靈思20奈米產品以28奈米建立基礎

賽靈思(Xilinx)宣布旗下20奈米產品的發展策略,其中包括新一代的8系列全部可編程閘陣列(All Programmable FPGA)產品和第二代三維(3D)IC和系統單晶片(SoC)元件產品。 ...
2012 年 11 月 20 日

跨進20nm門檻高 IC/晶圓廠改走類IDM模式

IC設計公司與晶圓代工廠的合作將邁向類IDM模式。進入20奈米製程世代,將牽動半導體設備、電子設計自動化(EDA)工具、IC電路布局與封測作業全面革新,導致產業鏈須投資大量資源;因此,晶圓代工廠與晶片商為避免個別財務負擔過重,將更加緊密合作,並共同分攤研發設備與人力開支,加速推進20奈米以下製程問世。 ...
2012 年 11 月 13 日

台積電帶頭衝 台灣IC製造產業成長可期

2013年台灣IC製造業成長率上看5.7%。值此全球半導體產業面臨景氣落底之際,台灣IC製造業則可望因晶圓代工市場產值不斷攀升而逆勢成長;尤其是未來台積電若順利接下蘋果(Apple)A7處理器訂單後,更將有機會大幅帶動整體IC製造產業成長率向上攻頂。 ...
2012 年 11 月 07 日

發布設計參考流程 台積20奈米/3D IC製程就緒

台積電20奈米(nm)及三維晶片(3D IC)設計參考流程出爐。台積電日前正式宣布推出20奈米製程,以及應用於3D IC生產的CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)兩項設計參考流程,以維持旗下半導體製程技術領先競爭對手半年到1年的腳步,防堵格羅方德(GLOBALFUNDRIES)、聯電的技術追趕。 ...
2012 年 10 月 12 日

押對Gate-Last技術 台積吃蘋果訂單勝算激增

台積電承接蘋果處理器訂單機會愈來愈高。有別於三星目前使用的前閘極(Gate-First)技術,台積電在28奈米及以下製程所採用的後閘極設計,由於可提升電晶體穩定性與量產效益,且功耗與效能表現均更勝一籌,能符合行動裝置日益嚴苛的應用要求,可望成為台積電贏得蘋果下一代處理器製造訂單的最佳利器。 ...
2012 年 10 月 08 日

提升資料吞吐率 商用光纖背板升級25Gbit/s

25Gbit/s商用光纖連接背板需求升溫。網通設備與伺服器業者已開始導入25Gbit/s的光纖背板,以提高資料吞吐率,滿足與日俱增的行動寬頻通訊傳輸速率。有鑑於此,現場可編程閘陣列(FPGA)業者已推出內建更多收發器與元件的20奈米(nm)方案,因應此一發展需求。 ...
2012 年 09 月 28 日