設備商出新招 半導體製造成本再下探

甫於日前落幕的日本半導體設備暨材料展(SEMICON Japan 2010)上,包括應用材料(Applied Materials)與艾司摩爾(ASML)等設備大廠分別宣布,在半導體蝕刻(Etch)與微影(Lithography)製造技術上取得新的突破,將可大幅提升半導體業者在先進製程世代的製造良率,並降低整體營運成本。 ...
2010 年 12 月 07 日

封裝薄型化需求殷 創新封裝內連線技術問世

為在合理的設計製造成本下持續提升半導體元件的性能,各種堆疊式封裝已大行其道。然終端產品對於產品外觀厚度的要求亦不容輕忽,因此晶片3D堆疊仍受一定限制。新型封裝內連線技術的問世,可望在功能增加與封裝厚度的矛盾間取得新的平衡點。
2010 年 09 月 16 日

延續摩爾定律商機 3D IC/先進製程缺一不可

在相關半導體業者共同努力下,先進製程與立體晶片(3D IC)的商用進展迭有突破,不僅將有助延長摩爾定律為半導體產業所帶來的龐大經濟效益,亦成為今年國際半導體展(SEMICON Taiwan)上備受矚目的發展焦點。 ...
2010 年 09 月 07 日

明導執行長阮華德:摩爾定律已非金科玉律

隨著半導體製程微縮的進展速度日益趨緩,引領半導體產業前進的摩爾定律(Moore’s Law),早已不再被業界視為顛撲不破真理。明導國際(Mentor Graphics)執行長阮華德(Walden Rhines)更大膽預言,未來10年內,半導體產業將不再把摩爾定律奉為金科玉律。 ...
2010 年 08 月 25 日

散熱問題迎刃解 LED成TSV開路先鋒

發光二極體(LED)市場火熱,但LED的散熱問題卻一直是造成LED難以大量普及的關鍵之一。原本為實現3D IC設計而研發的矽穿孔(TSV)技術,意外成為許多LED磊晶業者解決晶片散熱問題釜底抽薪之計,甚至可望搶在記憶體、高速邏輯晶片之先,成為TSV應用的開路先鋒。 ...
2010 年 08 月 17 日

異質整合風起 SiP應用多元化蓄勢待發

多晶片封裝技術問世已經相當多年,隨著技術日益成熟,其應用也從原本專注於提升單位空間內的記憶體容量逐漸轉形,成為將各種不同功能的晶片整合在單一封裝的系統封裝技術。從同質的多晶片封裝邁向異質的系統封裝,也為許多封裝設計業者打開了新的應用市場。
2010 年 05 月 10 日

後段驗證流程待突破 3D IC量產化挑戰重重

在學界與研究機構的努力下,以立體架構實現晶片設計已不是遙不可及的理想。然而,學術研究與產業的需求畢竟不同。對於以概念驗證為出發點的學界而言,3D IC的量產性並非其主要考量,因此其所使用的設計輔助工具即便驗證功能仍不完備,仍不影響其應用;但產業界若要導入3D...
2010 年 02 月 22 日

立體封裝為輔 掌握IC核心技術才是王道

在矽穿孔(TSV)技術的加持下,立體封裝技術之演進不但更加成熟,更被不少廠商視為未來突破摩爾定律(Moore’s Law)之關鍵。不過,也有業界人士認為,無論封裝技術如何發展,仍應掌握晶片設計的核心技術才有商機。 ...
2010 年 02 月 11 日

宜特打造亞洲驗證/分析技術研發中心

宜特科技宣布,通過經濟部業界科專計畫申請,總計斥資新台幣超過1億元,打造亞洲第一座技術服務業的「驗證與分析技術研發中心」,為高科技產業在設計開發新產品過程中所需的分析驗證技術,提供共同研究平台,研發中心預計將於2010年3月1日正式營運。...
2010 年 02 月 02 日

強化上市速度 縮短半導體測試迫在眉睫

目前系統單晶片架構日趨複雜,所包含的電晶體數量也不斷增加,也因而拉長晶片測試時間。為使產品迅速上市,以搶得市場先機,EDA工具廠商致力開發各式技術,協助客戶進一步降低晶片測試時間。此外,有鑑於3D IC漸成顯學,EDA工具與半導體測試驗證業者也紛紛投入設備與設計工具的開發。
2010 年 02 月 01 日

缺乏EDA工具支援 3D IC設計進展牛步

目前3D IC整合技術的研發仍以製程技術為主,而矽穿孔(Through-silicon-via, TSV)更是其中最熱門的技術之一,由於TSV可以讓同樣尺寸的晶片封裝內容納更多的電晶體,亦可有效縮短各元件之間的連線長度,提升效能,因此受到矚目。
2010 年 01 月 18 日

應用環境未臻成熟 射頻晶片3D化慢飛

儘管三維晶片(3D IC)在近期掀起陣陣旋風,不過由於技術門檻與應用環境尚未成熟,預期射頻(RF)晶片大幅採用3D IC的封裝技術還要等上兩年。   ...
2010 年 01 月 13 日