科林研發Lam Cryo 3.0低溫蝕刻技術助攻3D NAND發展

科林研發(Lam Research)推出了Lam Cryo 3.0，為該公司經過生產驗證的第三代低溫介電層蝕刻技術。隨著生成式人工智慧(AI)的普及不斷推動更大容量和更高效能記憶體的需求，Lam Cryo...
2024 年 08 月 08 日

全球半導體製造產能持續刷新歷史紀錄

SEMI國際半導體產業協會在近日公布的最新一季全球晶圓廠預測報告(World Fab Forecast)中指出，晶片需求不斷上升，帶動全球半導體晶圓廠產能持續成長，2024年及2025年預計將各增加6%及7%，月產能達到3,370萬片晶圓(約當8吋，以下同)，再度創下歷史新高。...
2024 年 06 月 27 日

容量/速度需求持續攀升　次世代記憶體研發腳步不停歇

在人工智慧(AI)等新應用的帶動下，運算單元的效能不斷升級，也連帶讓儲存資料的記憶體必須具備更大的容量，且資料傳輸的頻寬、延遲要求亦日益嚴格。因此，業界一方面持續在動態隨機存取記憶體(DRAM)跟快閃記憶體技術上投入研發資源，另一方面也在次世代記憶體的研發方面展現更積極的態度，並與像imec這樣的研究機構進行更多研發方面的合作。...
2022 年 05 月 12 日

宇瞻3D NAND SSD達100,000抹除P/E次數

3D NAND快閃記憶體廣泛用於各種工業應用及垂直細分市場，根據Allied Market Research發佈的3D NAND快閃記憶體市場展望，2020年全球 3D NAND 快閃記憶體市場規模為123.8億美元，預計到 2030年將達到784.2 億美元，2021至 2030 年的複合年增長率(CAGR)為20.3%。因應大量資料收集和智慧分析的需求，工業應用中儲存裝置長時間讀寫性能和耐久性是確保設備或系統穩定運行的關鍵。為滿足5G、AIoT智能聯網各式應用對於高容量、高效能及高耐用度要求，宇瞻科技(Apacer)突破現有技術限制，成功推升3D...
2022 年 03 月 14 日

全球晶圓廠設備支出　2022年將再創新高

國際半導體產業協會(SEMI)近日公布最新一季全球晶圓廠預測報告(World Fab Forecast)，指出2022年全球前端晶圓廠設備支出總額將較2021年成長10%，突破980億美元的歷史新高，再次出現連續三年大漲的榮景。
2022 年 01 月 13 日

Swissbit新品適用於工業用嵌入式儲存裝置

Swissbit推出了使用e.MMC-5.1標準介面的EM-30裝置，擴充了該公司小型儲存解決方案產品線。該BGA封裝結合了先進的控制器與工業級3D-NAND和韌體，適用於較嚴苛的使用環境。EM-30提供從16GB到256GB等多種容量，與以前的2D-NAND解決方案相比，可節省大量成本。適用的用途包括嵌入式系統、POS/POI終端、工廠自動化、路由器和交換機、物聯網(IoT)和醫療系統解決方案。...
2021 年 06 月 21 日

3D NAND前景可期　長江儲存實力不容小看

以數據為中心的人工智慧(AI)、AIoT、智慧工廠、VR/AR及自駕應用的需求增加，將長期帶動NAND的需求。根據調研單位Yole在2020年3D NAND製造設備與材料報告中指出，雖然NAND的市場具有季節和週期性變動，但是市場規模將可望從2019年的440億美元成長到2025年810億美元，期間的年複合成長率(CAGR)可達到11%。...
2021 年 05 月 18 日

Yole：2025年FCBGA封裝產值將達120億美元

根據產業研究機構Yole Développement(Yole)的最新研究指出，在AI、資料中心和HPC發展的推動下，FCBGA封裝的營收預期將從2020年的100億美元成長至2025年的120億美元。FCBGA封裝未來五年的產業規模年平均複合成長率(CAGR)達3%。截至2025年，FCBGA營收預期將超過100億美元。晶圓需求主要來自3D堆疊元件，與2020年相較，晶圓總體成長為CAGA...
2021 年 03 月 08 日

消除快閃記憶體技術轉型障礙　RG 3D NAND引領儲存新世代

伴隨著行動科技的推陳出新、5G爆炸性成長、雲端資料快速蔓延，以及固態硬碟(SSD)需求的持續暢旺，儲存產業對記憶體及儲存裝置容量和效能的要求更形嚴苛。儘管在單晶粒容量、電源效率與傳輸量的性能表現上，NAND快閃記憶體技術已攀上新高峰，但受制於傳統NAND技術的瓶頸，依然無法實現最佳的效能和容量設計。
2021 年 02 月 15 日

KLA新工具解決3D NAND製程與3nm邏輯缺陷難題

KLA日前發布兩款新產品：PWG5晶圓幾何形狀量測系統和Surfscan SP7XP晶圓缺陷檢測系統。這些新系統旨在解決高端記憶體和邏輯整合電路製造中極其困難的問題。 功能強大的快閃記憶體建立在3D NAND的結構之中，這些結構堆疊得越來越高，就如同分子摩天大樓一樣。當今市場上最先進的行動通訊設備中採用的頂級記憶晶片有96層，然而為了不斷提高空間和成本效益，它們將很快被128或更多層的3D...
2020 年 12 月 21 日

長江存儲3D NAND技術迎頭趕上　推128層快閃記憶體

日前長江存儲推出128層QLC 3D NAND快閃記憶體，並已通過多家控制器廠商SSD等終端產品認證。此次同時發布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規格NAND晶片X2-9060，以滿足不同應用場景的需求。此128層快閃記憶體系列產品使用Xtacking 2.0架構，優化3D...
2020 年 04 月 14 日

因應先進製程需求　科磊量測系統搭載新技術

晶片製程隨著市場所需的功能增加而變得越趨複雜，製造過程仰賴量測系統來控制晶片製作的品質與成本。為了提升晶片製程的產量與良率，製程設備供應商科磊(KLA)推出採用圖像技術的Archer 750疊對量測系統，與針對晶片製造的SpectraShape...
2020 年 03 月 03 日
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