3D NAND邁向千層堆疊 imec超前布署改良型結構(1)

憑藉著性價比極高的優勢,NAND Flash成為目前最主流的儲存裝置之一。目前最先進的NAND Flash均採用3D堆疊結構,但若要持續堆疊更多層NAND Flash,在電晶體結構設計上需要更多創新。...
2023 年 08 月 28 日

3D NAND邁向千層堆疊 imec超前布署改良型結構(2)

憑藉著性價比極高的優勢,NAND Flash成為目前最主流的儲存裝置之一。目前最先進的NAND Flash均採用3D堆疊結構,但若要持續堆疊更多層NAND Flash,在電晶體結構設計上需要更多創新。...
2023 年 08 月 28 日

群聯PS5012控制晶片開案量優於預期

群聯電子今年度固態硬碟(SSD)控制晶片產品線布局多元且完整,並順應3D NAND Flash躍為主流、價格觸及甜蜜點等產業趨勢快速拓展應用市場,帶動SSD控制晶片開案量優於預期,包括PS3111-S11、PS5008-E8/E8T各突破35件,而今年度最新推出的頂級規格的PS5012-E12接案量更是快速攀升、超過20件,相關晶片開案量累計近百件,成功擴大SSD市場版圖。...
2018 年 08 月 31 日

NAND Flash價格暫時回跌 供應缺口警報下半年再響

連續多季走強的NAND Flash報價,在2018年第一季可望暫時回跌,然由於3D NAND Flash製程工序繁複,會使晶圓廠的實際產能下滑,故NAND Flash顆粒的供應量在2018年仍難看到明顯成長,下半年NAND...
2018 年 01 月 10 日

群聯推出SD 5.1 A1控制晶片

群聯電子近日於 2017 年 SD 協會全球技術研討會上,介紹新推出可搭載東芝 64 層垂直儲存的 3D NAND(BiCS3)的技術 SD 5.1 A1 規範相容之 MaxIOPS 系列記 憶卡控制晶片...
2017 年 04 月 26 日

Flash廠力推3D/TLC NAND 高密度/低成本SSD加速問世

固態硬碟(SSD)規格更吸睛。記憶體製造商擴大採用新型3D堆疊與三層式儲存(TLC)設計架構,讓NAND Flash晶片容量密度激增,且成本顯著下滑,吸引固態硬碟開發商大舉採納,用以打造兼具高儲存容量和價格優勢的新產品。
2015 年 05 月 21 日

競逐中功率/磁共振技術 WPC/A4WP角力戰再起

無線充電市場硝煙彌漫。消費者期望充電速度愈來愈快,加上穿戴裝置如智慧手表應用崛起,促使WPC與A4WP兩大無線充電技術聯盟快步朝向中高功率及磁共振技術發展,並先後於近期發布新版標準,較勁意味濃厚。
2015 年 05 月 18 日

3D NAND/TLC添力 SSD加速觸及價格甜蜜點

固態硬碟(SSD)致命弱點–價格將有顯著突破。日、韓快閃記憶體(Flash)大廠及慧榮、群聯等SSD控制器廠,正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)記憶體解決方案,並將於2015~2016年逐漸放量,協助SSD廠商開發價格媲美傳統硬碟的產品,驅動SSD在筆電、工控、企業端及消費性儲存市場出貨量翻揚。 ...
2015 年 04 月 24 日

確保企業級儲存設備性能 SSD效評與驗證重要性倍增

SSD效能評量和驗證重要性更加突顯。隨著SSD技術更臻成熟,且單價驟降,企業級儲存設備採用的比例亦隨之攀升,然企業級SSD對於品質的要求更為嚴苛,遂讓效能評量與驗證角色更加吃重,其中資料吞吐量和IOPS將為兩大指標,成為評量及驗證的重點。
2014 年 03 月 22 日

突破蝕刻技術關卡 3D記憶體位元密度再升級

三維高容量儲存型快閃記憶體(3D NAND Flash)位元密度可望更上層樓。受惠於半導體設備日趨精益,3D記憶體架構已可在有限的尺寸中,透過可實現高深寬比例的蝕刻技術,為3D記憶體在大小不一的溝槽中加入更多電晶體,精進其效能與儲存容量。 ...
2012 年 07 月 06 日