KLA新工具解決3D NAND製程與3nm邏輯缺陷難題

KLA日前發布兩款新產品:PWG5晶圓幾何形狀量測系統和Surfscan SP7XP晶圓缺陷檢測系統。這些新系統旨在解決高端記憶體和邏輯整合電路製造中極其困難的問題。 功能強大的快閃記憶體建立在3D NAND的結構之中,這些結構堆疊得越來越高,就如同分子摩天大樓一樣。當今市場上最先進的行動通訊設備中採用的頂級記憶晶片有96層,然而為了不斷提高空間和成本效益,它們將很快被128或更多層的3D...
2020 年 12 月 21 日

滿足先進製程 ASML持續強化EUV微影系統

AI、5G應用推動晶片微縮化,要實現5nm、3nm等先進製程,意味著需要更新穎的技術支援以進行加工製造,半導體設備商遂陸續推出新一代方案。AI、5G應用推動晶片微縮化,要實現5nm、3nm等先進製程,意味著需要更新穎的技術支援以進行加工製造,為此,艾司摩爾(ASML)持續強化極紫外光(EUV)微影系統效能。...
2019 年 08 月 26 日

積極布局先進製程 三星釋出3GAE技術

搶攻先進製程市場,三星電子(Samsung)推出3nm GAE設計套件(PDK) 0.1版本,能幫助客戶儘早開始設計相關工作,提高設計競爭力,同時縮短周轉時間(TAT)。此款晶片電晶體底層結構經過重新設計,與7nm技術相比,可提升35%的速度、減少45%使用空間、減少50%電力消耗。...
2019 年 05 月 20 日