ASML持續改良High NA EUV　降成本/增效能兩頭並進

生成式AI的興起，不僅讓半導體產業將目光轉向先進封裝，同時也給晶片供應商有更充分的理由，採用更昂貴的先進製程來生產處理器晶片。然而，成本始終是一個必須解決的問題。因此，晶片微影技術領導廠商艾司摩爾(ASML)特別於SEMICON...
2024 年 09 月 16 日

邏輯/DRAM齊頭並進　imec展示High-NA EUV圖形化研究成果

比利時微電子研究中心(imec)在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾(ASML)合作建立的高數值孔徑(High-NA)極紫外光(EUV)微影實驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發表了曝光後的圖形化元件結構。在單次曝光後，9奈米和5奈米(間距19奈米)的隨機邏輯結構、中心間距為30奈米的隨機通孔、間距為22奈米的二維特徵，以及間距為32奈米的動態隨機存取記憶體(DRAM)專用布局全部成功成形(圖1~圖4)，採用的是由imec與其先進圖形化研究計畫夥伴所優化的材料和基線製程。透過這些研究成果，imec證實該微影技術的生態系統已經準備就緒，能夠實現高解析度的High-NA...
2024 年 08 月 14 日

2023年記憶體需求不振　ASML攀上設備龍頭

據研究機構Counterpoint所收集的資料，受到記憶體廠縮減支出、高通膨以及PC、智慧型手機出貨不盡理想等多重因素的影響，2023年全球前五大半導體設備廠的營收規模，較2022年衰退了1%，達935億美元。不過，由於晶圓代工廠對先進製程設備的資本支出仍維持在高檔，加上中國半導體業者搶購設備，故ASML在2023年仍有相當亮眼的營運表現。這也使得ASML超越應材(Applied...
2024 年 03 月 21 日

imec/ASML攜手推動高數值孔徑EUV技術發展

比利時微電子研究中心(imec)及艾司摩爾(ASML)近日宣布，雙方計畫在開發最先進高數值孔徑(high-NA)極紫外光(EUV)微影試驗製程的下一階段強化彼此之間的合作。 比利時微電子與ASML簽署合作備忘錄，雙方將共同推動高數值孔徑EUV技術發展...
2023 年 06 月 29 日

3D NAND將成市場主流　蝕刻/沉積/檢測設備更加關鍵

據Yole Developpement最新發表的《2020年3D NAND製造設備與材料》報告，由於3D NAND由於具有優異的發展潛力，可實現密度更高、位元成本更低的NAND記憶體，因此已成為NAND技術未來的發展趨勢。預估到2025年，3D...
2020 年 11 月 12 日

晶片微縮難度高　半導體製程技術日新又新

人工智慧(AI)、自動駕駛、車聯網、5G等應用相繼興起，且皆須使用到高速運算、高速傳輸、低延遲、低耗能的先進功能晶片，10奈米以下的先進製程重要性也與日俱增，同時也成為晶圓代工廠重要獲利來源；台積、三星兩大晶圓代工廠繼實現7奈米之後，皆致力朝5奈米、3奈米發展。然而，半導體製程節點越來越先進，意味著需要更新穎的技術支援以進行加工製造，因此，除了晶圓代工廠外，半導體設備商也相繼研發新一代技術。
2019 年 09 月 05 日

多重曝光微影邁入商用　ASML首部機台正式出貨

多重曝光微影(Multi-patterning Lithography)技術發展跨入新的里程碑。半導體微影設備大廠艾司摩爾(ASML)宣布，首部支援多重曝光技術的浸潤式微影機台TWINSCAN NXT:1980Di，無論疊對(Overlay)精準度或對焦一致性表現，皆已能滿足下世代邏輯和動態隨機存取記憶體(DRAM)的先進製程要求，日前已正式出貨。 ...
2015 年 10 月 01 日

浸潤式/EUV微影雙管齊下　1x奈米演進一路暢通

1x奈米以下先進製程將混搭兩種微影技術。為順利推動16/14奈米鰭式電晶體(FinFET)，以及未來的10/7奈米先進製程，晶圓廠正加緊研發極紫外光(EUV)微影技術，並計畫以浸潤式(Immersion)微影搭配EUV，達到兼顧高解析度曝光和高速/低成本生產效益的目標。 ...
2014 年 09 月 25 日

先進製程加速推展　半導體設備綻放新商機

先進製程將刺激半導體設備新商機。半導體廠全力衝刺1x奈米FinFET與3D IC先進製程，已帶動新一波設備需求，吸引微影、蝕刻和晶圓缺陷檢測等設備供應商積極卡位，並競相發展可支援更高電晶體密度和立體晶片堆疊架構的解決方案。
2013 年 09 月 07 日

攻新材料/互連技術　IMEC力克10nm設計難關

比利時微電子研究中心(IMEC)正全速開發下世代10奈米製程技術。為協助半導體產業跨越10奈米鰭式電晶體(FinFET)製程技術門檻，IMEC已啟動新一代電晶體通道材料和電路互連(Interconnect)研究計畫，將以矽鍺/三五族材料替代矽方案，並透過奈米線(Nanowire)或石墨烯技術實現更細緻的電路成型與布局，加速10奈米以下製程問世。 ...
2013 年 09 月 03 日

爭搶1x奈米代工商機　晶圓廠決戰FinFET製程

鰭式電晶體(FinFET)將成晶圓廠新角力戰場。為卡位16/14奈米市場商機，台積、聯電和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)正傾力投資FinFET技術，並各自祭出供應鏈聯合作戰策略，預計將於2014～2015年陸續投入量產，讓晶圓代工市場頓時硝煙彌漫。
2013 年 09 月 02 日

ASML：量產型EUV機台2015年就位

極紫外光(EUV)微影技術將於2015年突破量產瓶頸。傳統浸潤式微影技術在半導體製程邁入1x奈米節點後將面臨物理極限，遂使EUV成為產業明日之星。設備供應商艾司摩爾(ASML)已協同比利時微電子研究中心(IMEC)和重量級晶圓廠，合力改良EUV光源功率與晶圓產出速度，預計2015年可發布首款量產型EUV機台。 ...
2013 年 08 月 19 日
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