TSV助臂力 3D NAND記憶體性能更上層樓

矽穿孔(Through-silicon Via, TSV)將是三維NAND快閃記憶體(3D NAND Flash Memory)效能不斷提升的重要技術。現今NAND快閃記憶體已面臨製程微縮的瓶頸,各家廠商無不戮力開發3D...
2013 年 11 月 11 日

資料中心商機旺 記憶體業成長增添新動能

資料中心(Data Center)將成驅動記憶體業成長的新動能。隨著雲端服務崛起,全球資料中心逐漸往大型(Large)及超大型(Very-Large)發展;目前這兩類資料中心占整體資料中心的資本支出比重已達六成,且未來仍將節節攀升,可望帶動龐大儲存需求,並推助記憶體業創造另一波成長高峰。 ...
2013 年 11 月 05 日