克服CA元件成本問題 CMOS RF行情俏

載波聚合(CA)功能為射頻元件所帶來的多頻多模需求,讓功率放大器、天線開關、低雜訊放大器等射頻元件必須涵蓋較以往更多的頻段處理通道,單位成本因而增加,因此許多射頻元件商正積極尋求更高性價比的方案;其中,導入CMOS製程已成為一股明朗可見的趨勢。 ...
2014 年 10 月 28 日

高通RF360砲火全開 CMOS PA勢力快速崛起

互補式金屬氧化物半導體功率放大器(CMOS PA)可望大舉進駐智慧型手機。手機晶片大廠高通(Qualcomm)日前宣布,其RF360射頻(RF)前端系列產品已悉數問世,並獲得全球超過十五家原始設備製造商(OEM)用於七十五款行動裝置設計。一旦順利量產商用,將有助擴大CMOS...
2014 年 05 月 26 日

擴大發動射頻攻勢 高通RF360全面出擊

高通(Qualcomm)將以射頻(RF)前端方案做為拓展市占的重要武器。高通為持續提升於全球長程演進計畫(LTE)市場的影響力,除已推出支援Category 6傳輸速度的進階長程演進計畫(LTE-A)晶片組外,更讓旗下處理器及高通參考設計(QRD)皆開始支援其自有的RF360射頻前端方案,藉此協助行動裝置製造商更簡單地推出支援多頻多模的終端產品。 ...
2014 年 05 月 21 日

中低價手機風潮來襲 CMOS/GaAs PA競爭加劇

互補式金屬氧化物半導體功率放大器(CMOS PA)與砷化鎵(GaAs)PA方案戰火愈演愈烈。CMOS PA正挾尺寸及成本優勢於中低價手機市場攻城掠地,市占可望提升至15%~20%,而GaAs PA廠商為進一步防堵對手攻勢,將全面啟動輕晶圓代工(Fab-lite)策略,以同時鞏固高階手機及中低價手機市占。 ...
2013 年 10 月 08 日

加速LTE-A/5G設計 射頻LNA/PA需求爆發

射頻(RF)元件需求急速增長。先進長程演進計畫(LTE-Advanced, LTE-A)商轉啟動,下一代5G標準亦蓄勢待發,驅動行動裝置射頻系統規格升級。系統廠為支援100MHz超大頻寬、四十個以上頻段並降低雜訊干擾,除計畫增加低雜訊放大器(LNA)和功率放大器(PA)等射頻元件用量外,亦將要求射頻前端模組(FAM)提高功能整合度,吸引晶片商加緊展開卡位。 ...
2013 年 08 月 26 日

靠尺寸/價格殺出重圍 CMOS PA搶進低價手機

互補式金屬氧化物半導體功率放大器(CMOS PA)可望挾尺寸、成本優勢快速崛起。高通(Qualcomm)推出支援多頻多模長程演進計畫(LTE)的CMOS PA後,已引起業界對此更小型、低成本的射頻(RF)元件高度關注,尤其中低階手機製造商更將其視為升級產品通訊規格的重要途徑而擴大導入,將有助CMOS...
2013 年 07 月 29 日