祭出40nm NFC 博通搶搭行動付款熱潮

隨著ISIS聯盟與Google兩大陣營於北美地區力推行動付費機制,帶動手機導入近距離無線通訊(NFC)技術呼聲四起。為掌握此波商機,博通(Broadcom)已發表首顆採用40奈米先進製程打造的NFC晶片,並將於明年首季啟動量產,以低功耗及微型尺寸兩大賣點強勢進軍市場,將與既有NFC晶片供應商短兵相接。 ...
2011 年 10 月 06 日

兼顧LTE天線效能/尺寸 可調諧射頻元件露鋒芒

由於輕薄短小的產品設計趨勢,加上倍增的應用頻段,導致LTE天線可占用的空間愈漸萎縮,效能要求卻更上層樓;而可調諧射頻元件能運用體積更小但網路效能更大的天線提升LTE效能,換句話說,只要將可調諧射頻元件附加於天線上,工程師就能設計出更小尺寸且更高效能的天線。
2011 年 09 月 19 日

亞德諾低價200MHz/400MMAC DSP搶市

為持續提供設計人員低成本、高性能的數位訊號處理器(DSP)選擇,亞德諾推出ADSP-BF592 Blackfin嵌入式處理器的200MHz版本,可提供400MMAC的性能,但單價卻低到1.99美元(以1,000顆量計的單價)。 ...
2011 年 09 月 16 日

凌力爾特發表四十八通道PWM產生器

凌力爾特(Linear Technology)日前發表脈衝寬度調變(PWM)產生器LT8500。其具備四十八組獨立通道,每組通道具可單獨調整的12位元PWM暫存器和一組 6位元50%校正暫存器,且所有控制均透過簡易的電晶體-電晶體邏輯電路(TTL)/互補式金屬氧化物半導體(CMOS)50MHz串列資料介面設定。 ...
2011 年 08 月 05 日

安捷倫攜手台積電65奈米射頻參考設計套件

安捷倫科(Agilent)宣布將旗下的SystemVue、GoldenGate 和Momentum射頻(RF)IC解決方案,納入台積電3.0版的65奈米,60GHz射頻參考設計套件。安捷倫的解決方案將射頻系統、子系統和元件層級的設計與分析整合到完整的設計流程中,極具價值。 ...
2011 年 07 月 28 日

導入軟體定量分析 軟拷貝準則優化數位成像品質

數位成像技術在生活中無所不在,雖然消費者的選擇愈來愈多,但至今為止,仍沒有標準化的客觀評價度量對設備整體性能進行定量分析;而軟拷貝準則(Softcopy Ruler)利用軟體工具定量分析數位成像系統的性能,則可優化整體影像品質,實現經校準影像品質測量的準則。
2011 年 07 月 25 日

芯科實驗室CMOS IC廣獲CE/車用設計青睞

高效能類比與混合訊號IC廠商芯科實驗室(Silicon Laboratories)宣布其廣播音訊IC出貨量已突破十億顆,締造廣播音訊市場的重要里程碑。芯科實驗室的數位互補式金屬氧化物半導體(CMOS)廣播音訊晶片廣泛應用於手機、可攜式媒體播放器(PMP)、個人導航裝置(PND)、汽車資訊娛樂系統、桌上型和床頭收音機、可攜式收音機、音響和其他消費性電子(CE)產品。 ...
2011 年 07 月 12 日

凌華發表新款嵌入式模組電腦Express-LPC

凌華科技推出Compact COM Express規格的新款嵌入式模組電腦「Express-LPC」,搭載雙核心英特爾(Intel)凌動(Atom)處理器與DDR3高速記憶體,相較目前以Pentium...
2011 年 07 月 04 日

降低CMOS SoC功耗 PowerShrink平台問世

半導體製程不斷演進,除為進一步縮小體積外,功耗的降低更是先進製程追求的重點。不過,由於現階段互補式金屬氧化物半導體(CMOS)製程在晶片的電壓已達瓶頸,因此各種降低晶片功耗的技術紛紛出籠,其中,PowerShrink技術可降低約50%的系統單晶片(SoC)功耗,已逐漸受到市場重視。 ...
2011 年 06 月 24 日

安捷倫ADS設計系統平台強化射頻/微波模擬

安捷倫科技(Agilent)宣布旗下最新版的旗艦型射頻(RF)/微波設計與模擬平台ADS 2011,已經開始出貨。作為業界最完整的多技術設計平台,ADS 2011象徵著電子設計自動化技術的一大突破。 ...
2011 年 05 月 02 日

購併Techwell綜效顯 Intersil監控市場邁大步

原本在監控市場不得其門而入的英特矽爾(Intersil),在購併專注於監控系統主晶片研發的Techwell後,順勢成為監控市場龍頭,而購併經1年多的時間後,也開始展現合併綜效,英特矽爾已開發監控市場的新產品,並與數位視訊錄影機(DVR)市占七成的索尼(Sony)達成新的合作協議。 ...
2011 年 04 月 27 日

節能迫在眉睫 高效能功率電子設計勢力抬頭

拜通過半導體技術而獲得更高效能所賜,至2030年美國的經濟規模能夠擴大超過70%,但使用的電能卻減少11%。目前在超低損耗金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)/絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)、智慧電源IC及整合功率模組(IPM)等方面皆已取得進展。
2011 年 04 月 04 日