滿足更高速應用　ADC搶搭JESD 204B介面

類比數位轉換器(ADC)供應商競相發表JESD 204B規格產品。有鑑於無線基地台、量測、醫療影像、工業測試、國防等應用對資料傳輸速率要求激增，市場對具備更高傳輸速度介面的ADC需求更加殷切，因此近期亞德諾(ADI)、德州儀器(TI)等業者已加緊開發支援高速傳輸介面JESD...
2012 年 11 月 06 日

體積/功耗雙降　智慧電表六合一SoC方案現身

具六種功能的智慧電表系統單晶片(SoC)亮相。瞄準智慧電表商機，Maxim繼2年前三合一功能的SoC面市後，日前再推出六合一SoC解決方案，可望為智慧電表製造商提供體積、功耗和成本表現更佳的新選擇。 ...
2012 年 10 月 16 日

主打超窄邊框與裸視功能　奇美、友達競推3D顯示面板

面板廠紛紛透過自身的核心技術開發超窄邊框與裸眼3D面板，以藉此突顯產品差異化，站穩市場一席之地。
2012 年 10 月 13 日

ST先進製程簡化運算放大器設計

意法半導體(ST)推出採用先進製程的新一代IC。該製程有助於晶片節省能源、提高運算精確度，以及簡化汽車電子、智慧型建築與工業控制應用的感測器設計。   意法半導體全新IC是微型放大器(運算放大器)，用於調節非常小的感測器訊號。新款運算放大器採用意法半導體自主研發的先進16伏特(V)互補式金屬氧化物半導體(CMOS)製程，運算精確度和長期穩定性均高於市場的現有産品。 ...
2012 年 10 月 13 日

Mouser開始供應萊迪思MobileFPGA產品

Mouser即日起開始供應萊迪思(Lattice)的iCE40 HX系列MobileFPGA產品。此系列產品針對平板電腦應用開發，功率超低、運算速度比iCE65系列快80%。   ...
2012 年 10 月 01 日

Javelin功率放大器獲三星Galaxy S Duos採用

全球互補式金屬氧化物半導體(CMOS)3G功率放大器(PA)廠商Javelin宣布，三星電子公司具備雙卡(Dual SIM)功能的全新Galaxy S Duos選用Javelin的功率放大器。 ...
2012 年 09 月 28 日

亞德諾新款多工器提供閉鎖防護功能

亞德諾(ADI)發表兩款能在運作於±22伏特(V)高電壓工業應用中保證提供閉鎖預防功能的多工器–ADG 5206/5207。閉鎖是一種不良的高電流狀態，會持續存在直到電源供應關閉為止，因此會導致裝置故障。 ...
2012 年 08 月 21 日

強攻智慧電表　芯科混合訊號ASSP MCU上陣

芯科實驗室(Silicon Laboratories)計畫推出更節能的32位元特定應用標準產品微控制器(ASSP MCU)。憑藉擅長的混合訊號整合能力，芯科實驗室將針對智慧電表應用，開發更具節能和精確類比效能的32位元ASSP...
2012 年 08 月 20 日

突破FinFET/FD-SOI瓶頸　DDC技術讓SoC更省電

為解決28奈米IC漏電流問題，產業界已開始採用全耗盡型(Fully Depleted)電晶體進行IC設計，如鰭式電晶體(FinFET)、全耗盡型絕緣層覆矽(FD-SOI)，以及深度耗盡通道(DDC)等。其中，DDC技術可克服FinFET與FD-SOI成本與技術挑戰，尤其適合低成本SoC開發。
2012 年 08 月 16 日

市場策略重新定調　萊迪思轉攻消費性電子

萊迪思(Lattice)將以消費性電子做為未來主要發展重心。在購併矽藍(SiliconBlue)後，萊迪思將市場發展重心自過去著重的通訊領域，調整為消費性電子；而矽藍iCE產品也將成為日後主要推展重點，以避免在通訊領域與Altera、賽靈思(Xilinx)正面衝突。此外，萊迪思近期也與聯電於40和28奈米(nm)製程進一步合作，以提供更具低功耗與低成本特性的現場可編程閘陣列(FPGA)。 ...
2012 年 08 月 02 日

ST委託格羅方德代工28/20奈米FD-SOI晶片

意法半導體(ST)宣布格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)將採用意法半導體獨有的完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件(Fully Depleted Silicon-on-Insulator, FD-SOI)技術，為意法半導體生產28奈米和20奈米晶片。 ...
2012 年 06 月 19 日

特瑞仕超高頻低雜訊放大器採用CMOS製程

日本東京的特瑞仕半導體(TOREX)推出採用互補金屬氧化物半導體(CMOS)製程，適用於移動體終端和地面數字廣播的超高頻(UHF)低雜訊放大器(LNA)–XC2402系列產品。 ...
2012 年 06 月 11 日
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