減少高圖案密度區域金屬腐蝕 半導體CMP製程可靠性提升

在許多記憶體和邏輯元件的半導體製程中,都需要用到化學機械平坦化(CMP)。CMP可用來在半導體製程中創建平坦表面,實現均勻的層厚,並在下一個製程步驟之前最佳化元件拓樸。然而,由於製程中的移除率不同,在CMP之後,半導體元件的表面往往會出現不均勻的現象。
2022 年 04 月 09 日

新式清洗機台實現硫酸減量 半導體製程更環保

半導體濕式清洗設備供應商盛美宣布,世界首台槽式與單片清洗整合設備Ultra C Tahoe現已在某大型半導體業者的生產線上投入使用。 Ultra C Tahoe清洗設備可應用於光阻劑去除,刻蝕後清洗,離子注入後清洗,CMP後清洗等製程,具有清洗製程效果提升,縮減化學藥液成本,並顯著降低硫酸廢液排放量等優勢。...
2019 年 12 月 18 日

先進製程推動材料需求 英特格斥1.8億升級台灣技術研發中心

先進製程對特用化學及先進材料需求大增,為滿足其在產量、可靠度及性能方面的需求,英特格(Entegris)宣布投資約600萬美元(約新台幣1.8億元),擴大台灣技術研發中心之功能,例如導入高靈敏度KLA...
2018 年 09 月 04 日

先進製程淨化需求增 英特格新型清潔溶液亮相

10奈米以下先進製程帶動過濾、淨化市場需求增加。看好此一商機,英特格(Entegris)宣布推出適用於半導體製程的推出適用於半導體製程的新型後化學機械研磨(post-CMP)清潔溶液–PlanarClean...
2016 年 09 月 13 日

陶氏化學發表先進CMP研磨液

針對化學機械研磨(CMP)需求,陶氏化學旗下的陶氏電子材料近日推出OPTIPLANE研磨液系列產品。OPTIPLANE研磨液系列是為了滿足客戶對先進半導體研磨液的需求而推出,能以有競爭力的成本滿足客戶減少缺陷和其他更嚴格的規格要求,適合用來製造新一代先進半導體裝置。 ...
2016 年 07 月 29 日

先進製程加速推展 半導體設備綻放新商機

先進製程將刺激半導體設備新商機。半導體廠全力衝刺1x奈米FinFET與3D IC先進製程,已帶動新一波設備需求,吸引微影、蝕刻和晶圓缺陷檢測等設備供應商積極卡位,並競相發展可支援更高電晶體密度和立體晶片堆疊架構的解決方案。
2013 年 09 月 07 日

FinFET複雜度破表 半導體設備商投資不手軟

鰭式電晶體(FinFET)製程將帶動新一波半導體設備投資熱潮。由於FinFET導入立體式電晶體結構,使得晶圓製程中的蝕刻和缺陷檢測複雜度較以往大幅攀升,因此包括科林研發(Lam Research)和東京威力科創(TEL)等半導體設備大廠已積極加碼研發支出,甚至發動購併攻勢,以強化設備性能,滿足FinFET製程要求。 ...
2013 年 08 月 08 日

意法半導體透過CMP提供MEMS製程

意法半導體(ST)宣布將透過矽中介服務商CMP為研發組織提供意法半導體的THELMA微機電系統(MEMS)製程,大專院校、研究實驗室及設計公司可透過該製程設計晶片原型。 意法半導體執行副總裁暨類比産品、MEMS和感測器産品部總經理Benedetto...
2013 年 03 月 29 日

設備及晶圓廠技術躍進 2013將為3D IC量產元年

3D IC將於2013年大量量產。由於半導體設備商、晶圓代工廠加碼投資,並全力衝刺技術研發,3D IC兩道關鍵製程--TSV及Via-Reveal已出現重大突破,包括台積電、聯電等晶圓大廠均將陸續導入量產,推助3D...
2012 年 10 月 07 日

客製化CMP方案助攻 28奈米製程良率大躍升

化學機械研磨墊(CMP)將大幅提升先進製程良率。隨著半導體製程技術節點持續進化至28、20奈米(nm),晶圓製造業者對於研磨墊的缺陷率、移除率等要求亦更加嚴苛。因應此一市場需求,陶氏化學開發出全新研磨墊產品–IKONIC,除可降低晶圓瑕疵率並提升研磨墊與設備使用壽命外,亦可針對客戶需求進行優化,發揮最佳效能。 ...
2012 年 09 月 18 日

Via-Reveal製程設備到位 3D IC量產邁大步

三維晶片(3D IC)關鍵製程技術大躍進。為加速3D IC量產,半導體設備商除積極布局矽穿孔(TSV)製程外,亦加緊部署後段矽穿孔露出(Via-Reveal)技術,助力優化晶片堆疊組裝效率,目前包括應用材料(Applied...
2012 年 09 月 14 日

專訪Alchimer執行長Steve Lerner 濕式製程搶攻3D IC山頭

三維晶片(3D IC)的封裝流程增添許多步驟,使製程成本加劇,為此,半導體製程設備供應商Alchimer除主打可省卻化學性機械研磨法(CMP)及黃光微影步驟,進而降低晶片與基板間導線製造成本的濕式製程之外;亦針對3D...
2011 年 10 月 13 日