Enphase Energy採用英飛凌600 V CoolMOS 8 SJ MOSFET提升太陽能逆變器效率

Enphase Energy公司採用英飛凌科技的600 V CoolMOS 8高壓超接面(SJ) MOSFET產品系列，簡化了系統設計並降低了裝配成本。透過使用600 V CoolMOS 8 SJ，Enphase顯著降低了其太陽能逆變器系統的MOSFET內阻(RDS(on))，進而減少了導通損耗，提高了整體設備效率和電流密度，並節省了與MOSFET相關的成本。...
2025 年 03 月 27 日

結合Cypress產品線　英飛凌擴大USB-PD布局力道

隨著人們擁有的可攜式設備越來越多，為這些裝置充電的需求也跟著增加。除了要同時為更多裝置充電外，充電速度也是消費者與充電器、品牌製造商關心的重點。因此，在標準化的優勢加持下，USB Power Delivery(PD)成為目前市場上最重要的充電介面，標準與產品規格亦以極快的速度演進。在此背景下，作為全球主要電源晶片供應商之一的英飛凌(Infineon)，在併購擁有完整USB產品線的賽普拉斯(Cypress)之後，迅速整合雙方產品優勢，推出更完備的USB...
2021 年 05 月 06 日

超接面MOSFET技術助攻　固態繼電器/斷路器大有可為

機電式繼電器與電路斷路器相關技術經過完備的建立，發展已臻成熟，但仍受限於本質上的缺陷。改用固態技術雖然可解決這些問題，卻也同時面臨其他挑戰。在電影中，電燈熄滅或斷電通常會伴隨戲劇性的金屬結構倒塌的巨大聲響，幫助觀眾掌握劇情。一般而言，這種呈現方式十分準確，因為高電壓繼電器及電路斷路器本身大多仍為機電式。除了機電解決方案相關的固有作法外，工程界目前普遍認為半導體技術不適合運用在高電壓切換應用。然而，由於新技術的發展，高電壓切換應用的實際情況正在改變，圖1即為經過3次10...
2020 年 08 月 31 日

Si/SiC/GaN各擅勝場　功率開關元件選用要仔細

電源轉換器所使用的功率開關元件一直以來都採用矽(Si)半導體材料為主，但是隨著越來越多苛刻的應用與需求，矽半導體材料發展也趨近於材料本身的極限，使得矽功率開關元件已經無法完全符合需求。為了符合電源轉換器設計的需求，近年來寬能隙材料諸如碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)應運而生並且已被成功地商品化，本文探討電源轉換器設計者應該是沿用矽功率開關元件，還是轉而選用寬能隙功率開關元件，先由矽和寬能隙材料的特性進行比較，再進入討論CoolMOS，CoolSiC和CoolGaN的應用和定位，提供設計人員參考來選擇合適的功率開關元件。
2019 年 12 月 09 日

英飛凌CoolMOS MOSFET面積僅5mm×6mm

英飛凌(Infineon)推出全新無引線表面黏著(SMD)封裝的CoolMOS金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)ThinPAK 5×6，藉由減少占據印刷電路板(PCB)面積的元件尺寸及重量，有助於節省可觀的空間需求。 ...
2014 年 06 月 05 日

新型模組封裝技術加持　電動車能源利用率再升級

低成本的汽車級Easy 1B/2B電源模組具彈性配置，將能在電動車及混合動力車的電源控制應用中脫穎而出，藉以增進新能源車中所裝配的高壓電池效率，並節省目前搭載內燃機引擎的汽車中，由14伏特低電壓Board-Net供電的部分應用系統成本。
2012 年 02 月 16 日

強化電源戰力　英飛凌擬改12吋晶圓量產

繼德州儀器(TI)積極導入12吋晶圓廠以擴大類比市場占有率後，在電源晶片市場同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動12吋晶圓量產研發計畫，希望將電源晶片的生產由目前8吋廠升級至12吋廠，以因應市場持續高漲的節能需求，並鞏固既有市場地位。 ...
2010 年 12 月 27 日

精簡高效成電源顯學　高壓MOS攻防戰開打

高壓MOSFET在節能意識高漲的市場環境下重要性日增，而以超接面技術製造的高壓MOSFET，由於可較標準平面式MOSFET在相同單位面積內，實現更小的導通電阻，因而成為功率半導體元件業者競相布局的重點。
2009 年 04 月 03 日
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