氮化鎵功率元件前景可期 關鍵製程必須更精密

氮化鎵材料在功率元件滲透率,將在未來幾年迅速成長。為滿足市場需求,製造商必須在關鍵製程步驟採用更精密的技術。
2020 年 12 月 02 日

設備及晶圓廠技術躍進 2013將為3D IC量產元年

3D IC將於2013年大量量產。由於半導體設備商、晶圓代工廠加碼投資,並全力衝刺技術研發,3D IC兩道關鍵製程--TSV及Via-Reveal已出現重大突破,包括台積電、聯電等晶圓大廠均將陸續導入量產,推助3D...
2012 年 10 月 07 日

Via-Reveal製程設備到位 3D IC量產邁大步

三維晶片(3D IC)關鍵製程技術大躍進。為加速3D IC量產,半導體設備商除積極布局矽穿孔(TSV)製程外,亦加緊部署後段矽穿孔露出(Via-Reveal)技術,助力優化晶片堆疊組裝效率,目前包括應用材料(Applied...
2012 年 09 月 14 日

達思廢氣處理設備運用燃燒/水洗技術分解N2O

台灣達思(DAS)推出UPTIMUM,該設備專為在使用端(Point-of-Use)達到高效率廢氣處理而設計,在化學氣相沉積(CVD)製程中,可達到最高每分鐘500公升(slm)的廢氣處理效率,解決許多精進製程在提高生產效率的同時相對帶來的挑戰。 ...
2012 年 08 月 06 日

中國新補貼政策啟動 LED照明滲透率成長可期

LED照明市場今年將大放異彩。在中國大陸公布新版補貼政策以及LED照明設備價格逐漸接近傳統照明等因素刺激下,LED在室內、外照明應用市場的滲透率可望較去年大幅攀升,吸引相關供應鏈業者積極展開布局,迎接此波成長商機。
2012 年 05 月 03 日

擴產LED前驅體材料 賽孚思南科新廠落成

賽孚思(SAFC Hitech)宣布全球第四座高亮度發光二極體(HB LED)前驅體材料生產工廠正式啟用。為就近提供亞太地區LED磊晶廠在開發HB LED時所使用的前驅體材料,賽孚思斥資數億新台幣於南科高雄園區打造台灣首座HB...
2012 年 03 月 16 日

專訪Alchimer執行長Steve Lerner 濕式製程搶攻3D IC山頭

三維晶片(3D IC)的封裝流程增添許多步驟,使製程成本加劇,為此,半導體製程設備供應商Alchimer除主打可省卻化學性機械研磨法(CMP)及黃光微影步驟,進而降低晶片與基板間導線製造成本的濕式製程之外;亦針對3D...
2011 年 10 月 13 日

大減3D IC成本 濕式/阻障層製程技術吸睛

三維晶片(3D IC)的封裝流程增添許多步驟,使製程成本加劇,為此,半導體製程設備供應商Alchimer除主打可省卻化學性機械研磨法(CMP)及黃光微影步驟,進而降低晶片與機板間導線製造成本的濕式製程外;亦針對3D...
2011 年 09 月 26 日

專訪應用材料顯示器事業群總經理Tom Edman LTPS/觸控設備需求激增

智慧型手機與平板裝置(Tablet Device)的蓬勃發展,讓低溫多晶矽(LTPS)製程技術與觸控面板炙手可熱,並成為面板大廠爭相布局、擴產的焦點,從而推升相關製造設備需求,預估2011年LTPS和觸控設備商可服務市場(SAM)的規模將達到4億美元,較2010年大幅增長兩倍之多,為設備供應商2011年的發展注入一股強勁的成長動能。
2011 年 05 月 12 日

行動顯示商機搶眼 LTPS/觸控設備需求激增

智慧型手機與平板裝置(Tablet Device)的蓬勃發展,讓低溫多晶矽(LTPS)製程技術與觸控面板炙手可熱,從而推升相關製造設備需求,預估2011年LTPS和觸控的設備商可服務市場(SAM)規模將達4億美元,較2010年大幅增長兩倍,為2011年設備供應商的發展注入一股強勁的成長動能。 ...
2011 年 04 月 22 日

應用材料設備奧援 台面板廠轉型添柴薪

半導體設備龍頭應用材料(Applied Material)11日舉行台南製造中心擴建竣工典禮,將投入電漿強化化學氣相沉積(PECVD)與物理氣相沉積(PVD)等面板及薄膜太陽能電池最關鍵的製造設備生產,成為台灣面板廠西進中國大陸與跨逐太陽能產業發展最有利的後盾。 ...
2010 年 03 月 15 日