先進製程加速推展 半導體設備綻放新商機

先進製程將刺激半導體設備新商機。半導體廠全力衝刺1x奈米FinFET與3D IC先進製程,已帶動新一波設備需求,吸引微影、蝕刻和晶圓缺陷檢測等設備供應商積極卡位,並競相發展可支援更高電晶體密度和立體晶片堆疊架構的解決方案。
2013 年 09 月 07 日

ASML:量產型EUV機台2015年就位

極紫外光(EUV)微影技術將於2015年突破量產瓶頸。傳統浸潤式微影技術在半導體製程邁入1x奈米節點後將面臨物理極限,遂使EUV成為產業明日之星。設備供應商艾司摩爾(ASML)已協同比利時微電子研究中心(IMEC)和重量級晶圓廠,合力改良EUV光源功率與晶圓產出速度,預計2015年可發布首款量產型EUV機台。 ...
2013 年 08 月 19 日

打通量產關鍵環節 高功率LPP光源加速EUV商用

EUV微影預計將在後193奈米浸潤式微影技術時代,成為關鍵尺寸成像的解決方案,而高功率LPP光源系統則是實現EUV微影商用的重要條件;藉由超過400瓦輸出功率的LPP光源,可滿足光阻劑靈敏度等各方面的製程需求,並進一步抑制光學元件的退化。
2011 年 12 月 29 日

20奈米製程聲聲催 EUV光罩/晶圓檢測發展趕進度

在先進製程邁入20奈米之際,半導體設備商正積極透過策略結盟方式發展EUV光罩缺陷檢測系統,以加速實現EUV技術應用於20奈米節點的目標;另一方面,擁有更高晶圓缺陷檢測精準度與吞吐量的電子束晶圓缺陷檢視設備,需求也逐漸看漲。
2011 年 10 月 03 日

插旗EUV版圖 KLA/SEMATECH締結盟約

為實現零缺陷的極紫外光(EUV)光罩,光罩缺陷檢測系統不可或缺。有鑑於EUV前景可期,科磊(KLA-Tencor)正試圖透過與SEMATECH策略結盟發展光罩缺陷檢測系統,以加速EUV技術成熟,並藉此卡位EUV市場先機。 ...
2011 年 08 月 18 日

先進製程競爭加劇 EUV提前商用有譜

受到邏輯晶圓廠與儲存型快閃(NAND Flash)記憶體製造商大舉加碼先進製程的激勵,微影(Lithography)掃描機大廠艾司摩爾(ASML)與極紫外光(EUV)雷射光源供應商西盟(Cymer)均已緊鑼密鼓展開量產用EUV微影掃描機台的相關研發工作,預計2012年可望率先用於22奈米製程節點的商用生產。 ...
2010 年 12 月 13 日