鎖定超高階行動裝置 三星8Gb LPDDR4問世

三星(Samsung)30日發布業界首款8Gb的低功耗第四代雙倍資料率(LPDDR4)行動動態隨機存取記憶體(Mobile DRAM)。為符合未來高階行動裝置將漸漸往64位元處理器、超高解析度(UHD)螢幕等高規格設計靠攏,三星針對此需求開發出高傳輸速率、高效能、高記憶體密度容量的8Gb...
2013 年 12 月 31 日

TSV助臂力 3D NAND記憶體性能更上層樓

矽穿孔(Through-silicon Via, TSV)將是三維NAND快閃記憶體(3D NAND Flash Memory)效能不斷提升的重要技術。現今NAND快閃記憶體已面臨製程微縮的瓶頸,各家廠商無不戮力開發3D...
2013 年 11 月 11 日

打造更細緻螢幕 數位LCoS革新智慧眼鏡呈像

禾鈶已率先業界開發出採用脈衝寬度調變(PWM)切換電壓的全數位架構矽基液晶(Liquid Crystal on Silicon, LCoS)微顯示(Microdisplay)光機模組,其具備更高畫面更新率及更高解析度優勢,可實現配備更細緻LCoS螢幕的智慧眼鏡(Smart...
2013 年 10 月 25 日

受Hynix廠房大火衝擊 NAND供貨吃緊至年底

全球第二大記憶體製造商SK Hynix位於中國大陸無錫的動態隨機存取記憶體(DRAM)廠房日前遭祝融肆虐,導致全球DRAM供應量受到衝擊;而SK Hynix為彌補DRAM產能不足,遂將部分儲存型快閃記憶體(NAND...
2013 年 09 月 18 日

IoT商機滾滾 嵌入式記憶體需求暢旺

物聯網(IoT)發展熱潮將推升嵌入式記憶體需求。行動裝置、汽車、工業等機器對機器(M2M)裝置對固態硬碟需求持續攀升,加上嵌入式系統因應巨量資料(Big Data)來臨,對記憶體容量的要求也翻倍成長,皆可望帶動各式嵌入式記憶體出貨量一路長紅。 ...
2013 年 08 月 19 日

緊追賽靈思16nm進度 Altera明年投產14nm

Altera的14奈米(nm)三閘極電晶體(Tri-gate Transistor)製程可望於明年啟動量產。面對賽靈思(Xilinx)即將於2014年採用台積電16奈米鰭式場效電晶體(FinFET)製程,生產首批現場系統單晶片可編程閘陣列(SoC...
2013 年 06 月 11 日

多核處理器應用熱燒 電源管理晶片邁向高整合

高整合電源管理晶片可強化多核心處理器效能。行動裝置大舉導入多核心處理器,讓電源設計架構隨之異動,不少應用處理器開發商已開始將部分電源功能自平台中分離,讓合作的電源晶片業者開發更高功能整合度的電源管理方案,以兼顧處理器效能和低功耗設計。
2013 年 05 月 27 日

衝刺28奈米/FinFET研發 晶圓廠資本支出創新高

為爭搶先進製程商機大餅,包括台積電、格羅方德和三星等晶圓代工廠,下半年均將擴大資本設備支出,持續擴充28奈米製程產能;與此同時,受到英特爾衝刺FinFET技術研發刺激,各大晶圓廠也不斷加碼技術投資,將驅動整體晶圓代工產業支出向上飆升。
2013 年 05 月 13 日

傳輸速度翻倍 SATA3將成工控SSD主流介面

採用SATA3介面的固態硬碟(SSD)正快速在工業市場崛起。瞄準工業個人電腦(IPC)系統開發商的導入需求,宇瞻、宜鼎、創見和威剛等模組廠將於今年6月推出SATA3工控專用固態硬碟,實現比SATA2快一倍的傳輸速度,將有助推升SATA3成為工控固態硬碟介面主流。...
2013 年 04 月 30 日

晶圓代工/DRAM領軍 半導體產值今年強彈

2013年全球半導體產值將強勁成長4.5%,一掃去年下滑2.7%的陰霾。由於今年全球經濟狀況相對去年穩定,且行動裝置處理器業者轉換至28、20奈米(nm)先進製程的需求持續湧現,加上動態隨機記憶體(DRAM)市場供需趨於平衡等正面因素加持,2013年晶圓代工與記憶體產值皆將大幅成長,成為帶動整體半導體產值回升的雙引擎。 ...
2013 年 04 月 11 日

記憶體加入ECC功能 嵌入式系統提升抗誤碼能力

開發人員為避免嵌入式系統內建記憶體的錯誤碼導致儲存的資料損壞,甚至更嚴重造成系統崩潰,將利用於記憶體中加入ECC功能,藉此降低記憶體出錯機率,並強化嵌入式系統的抗錯誤能力。
2013 年 02 月 25 日

廠商戮力開發新應用 晶片立體堆疊技術未來可期

TSV立體堆疊技術已在各式應用領域當中嶄露頭角。TSV堆疊技術應用於DRAM、FPGA、無線設備等應用上,可提升其效能並維持低功耗,因而獲得半導體廠及類比元件廠的青睞,儘管如此,若要加速TSV技術於市場上應用的速度,仍須仰賴代工廠、IP供應商、EDA廠與封測代工廠的共同合作。
2013 年 02 月 24 日
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