DRAM市場成長放緩 大廠延遲產能擴張計畫

DRAM的平均售價在過去兩年強進成長,眾廠商的資本支出與產能皆在擴增當中。然而,DRAM平均售價與市場成長速度很快將要開始下滑,相關供應商應隨時調整資本支出擴張計畫。目前,韓廠三星(Samsung)與SK海力士(SK...
2018 年 10 月 05 日

2018半導體資本支出破1000億美元 記憶體占53%

產業研究機構IC Insights預測,2018年半導體資本支出總額將增至1020億美元,這是史上首次資本支出上超過1000億美元,同時較2017年的933億美元成長了9%,比2016年成長了38%。...
2018 年 09 月 06 日

中國產能逐漸開出 記憶體價格2019將下滑

記憶體價格從2016年起一路上揚,但自2018下半年起,由於各廠商產能陸續開出,因此資策會MIC預測記憶體價格將於開始下滑,並會對台廠造成衝擊。 資策會MIC資深產業顧問洪春暉表示,2018年的半導體市場概況是近5年來難得的樂觀,儘管2018年記憶體價格成長空間有限,但NAND...
2018 年 09 月 03 日

2018上半年前15大半導體廠年度成長率達24%

產業研究機構IC Insights於8月發表2018年上半年全球前15大半導體供應商銷售概況,包括七家總部位於美國的供應商,三家位於歐洲,兩家位於韓國和台灣,一家在日本。其中有11家廠商在上半年均達成兩位數的同比成長。此外,七家公司的成長率超過20%,其中包括五大記憶體供應商(三星、SK海力士、美光、東芝和WD/SanDisk)以及Nvidia和ST。...
2018 年 08 月 23 日

貿澤電子擴充記憶體解決方案

授權代理商貿澤電子(Mouser Electronics)近日宣布與記憶體廠商Micron Technology簽訂全球代理協議,將改變世界資訊的使用方式。簽訂此協議後,貿澤的產品組合將涵蓋關鍵記憶體技術製造商,為全球的客戶供應Micron解決方案。...
2018 年 08 月 22 日

全球GDP與半導體成長趨勢相關度高達0.95

IC Insights近期公布最新研究報告指出,2018~2022年全球GDP和IC市場相關係數將達到0.95,高於2010~2017時期的0.88。一般而言,完全相關係數為1.0,在2000年代早期2000~2009年相關係數為0.63,20世紀90年代更只有-0.10的負相關。...
2018 年 08 月 06 日

Yole:記憶體產業2018年成長動能不絕

半導體產業在2017年取得了創紀錄的業績,產業規模一舉突破4000億美元。半導體設備的整體需求全年都很強勁,這得益於所有應用中電子元件的日益普及,尤其是行動和資料中心市場。2017年的半導體成長由儲存元件帶動,營收達到1260億美元,較2016年同期成長了60%以上。產業研究機構Yole...
2018 年 07 月 09 日

設備/產能投資熱呼呼 半導體業今明仍是大好年

半導體產業在2017年繳出令人喜出望外的成績單,整體營收首度突破4,000億美元關卡,打破了半導體產業已是成熟產業的看法。但這波景氣熱潮還沒結束,半導體營收規模將繼續刷新歷史紀錄,只是成長速度略為收斂,預估到2019年時,全球半導體營收將挑戰5,000億美元大關。
2018 年 06 月 25 日

2018年半導體資本支出將首次突破1000億美元大關

市場研究機構IC Insights最近發布了其2018年第一季前25大半導體供應商,整年度資本支出預測的更新。該單位3月份時提出半導體產業資本支出成長8%,但隨即於5月份上調6個百分點至14%的增幅。這將是半導體產業資本支出首次突破1000億美元。2018年資本支出預測數字比2016年的支出高出53%。...
2018 年 05 月 31 日

記憶體漲勢未到頂 2018 Q1三星擴大領先

產業研究機構IC Insights發表2018年第一季半導體產業營收概況,整體而言,前15家半導體公司的銷售額較2017年第一季成長26%,整體半導體產業成長約20%。令人驚訝的是,三星、SK海力士和美光三家記憶體供應商在第一季的出貨量均較去年同期成長超過40%。隨著DRAM和NAND...
2018 年 05 月 21 日

DRAM漲風不停 逐漸壓抑市場需求

根據市調機構IC Insights最新研究顯示,在1978年至2012年的34年間,DRAM每位元(bit)價格平均每年下跌33%。然而,從2012年到2017年,DRAM平均每位元價格下跌僅為每年3%。此外,2017年全年DRAM價格漲幅達到47%,是自1978年以來最大的年度漲幅,超過了1988年30年前的45%漲幅。...
2018 年 03 月 15 日

無預充電DRAM改善潛伏時間/功耗 嵌入式應用系統效能提升

動態隨機存取記憶體(DRAM)的最大優勢是集積密度很高,尤其是使用1T1C的物理結構而形成的DRAM晶片。如果要使用標準CMOS製程技術來形成電容器則有一種金屬-絕緣體-金屬(MIM)的物理結構,另一種則是金屬-氧化層-金屬(MOM)的物理結構。然而,MIM電容器以及MOM電容器的布局面積或製作成本將有可能大於靜態隨機存取記憶體(SRAM),特別是經過減少電晶體數量之後的4T...
2017 年 12 月 16 日
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