常關需求引發路線之爭 D-mode GaN不容低估(1)

氮化鎵功率半導體元件毫無疑問是目前電力電子領域中非常火熱的一個話題。當今占主導有兩種電晶體類型:常關(Normally-off)耗盡型(D-mode)和常關增強型(E-mode)氮化鎵電晶體。當人們面臨選擇時,有時會難以言明地傾向于使用E-mode電晶體。而事實上,常關D-mode在性能、可靠性、多樣性、可製造性以及實際用途方面,都是本質上更優越的平台。這之中的原因在於常關D-mode能充分利用氮化鎵本身優勢。...
2023 年 10 月 31 日

常關需求引發路線之爭 D-mode GaN不容低估(2)

氮化鎵功率半導體元件毫無疑問是目前電力電子領域中非常火熱的一個話題。當今占主導有兩種電晶體類型:常關(Normally-off)耗盡型(D-mode)和常關增強型(E-mode)氮化鎵電晶體。當人們面臨選擇時,有時會難以言明地傾向于使用E-mode電晶體。而事實上,常關D-mode在性能、可靠性、多樣性、可製造性以及實際用途方面,都是本質上更優越的平台。這之中的原因在於常關D-mode能充分利用氮化鎵本身優勢。...
2023 年 10 月 31 日

常關需求引發路線之爭 D-mode GaN不容低估(3)

氮化鎵功率半導體元件毫無疑問是目前電力電子領域中非常火熱的一個話題。當今占主導有兩種電晶體類型:常關(Normally-off)耗盡型(D-mode)和常關增強型(E-mode)氮化鎵電晶體。當人們面臨選擇時,有時會難以言明地傾向于使用E-mode電晶體。而事實上,常關D-mode在性能、可靠性、多樣性、可製造性以及實際用途方面,都是本質上更優越的平台。這之中的原因在於常關D-mode能充分利用氮化鎵本身優勢。...
2023 年 10 月 31 日

Transphorm新白皮書比較常閉D-Mode/E-Mode氮化鎵電晶體

Transphorm發布了題為「Normally-off D-Mode 氮化鎵電晶體的根本優勢」的最新白皮書。該技術文獻科普了共源共柵(常閉)d-mode氮化鎵平台固有的優勢。重要的是,該文章還解釋了e-mode平台為實現常閉型解決方案,從根本上(實體層面)削弱了諸多氮化鎵自身的性能優勢。...
2023 年 10 月 24 日