ASML持續改良High NA EUV 降成本/增效能兩頭並進

生成式AI的興起,不僅讓半導體產業將目光轉向先進封裝,同時也給晶片供應商有更充分的理由,採用更昂貴的先進製程來生產處理器晶片。然而,成本始終是一個必須解決的問題。因此,晶片微影技術領導廠商艾司摩爾(ASML)特別於SEMICON...
2024 年 09 月 16 日

中國半導體技術匍匐前進 試圖打破西方封鎖(1)

中國尋求在半導體產業的各個方面實現自給自足,同時減少對外國競爭對手的依賴,試圖建立有競爭力的企業。然而中國在半導體子產業的追趕,面臨發展不均衡的問題。 未來幾年,中國將占據半導體新增產能的最大市占。事實上,SEMI國際半導體產業協會指出,2025年的成長動能之一將來自2奈米的開始產出,且中國的總產能將達世界三分之一的量。中國目前擁有全球20~45奈米晶片產能的27%,以及全球50~180奈米晶片產能的30%。此外,分析師預計,中國將在2022~2026年期間建造最多的新晶圓廠或進行重大擴建,其中中國新增26座工廠,產能暴增40%。中國半導體產能大增,台廠需要留意潛在的競爭威脅。...
2024 年 09 月 05 日

中國半導體技術匍匐前進 試圖打破西方封鎖(2)

中國尋求在半導體產業的各個方面實現自給自足,同時減少對外國競爭對手的依賴,試圖建立有競爭力的企業。然而中國在半導體子產業的追趕,面臨發展不均衡的問題。 中國半導體發展概況 記憶體晶片 (承前文)半導體記憶體產業長期以來,是中國經濟發展的戰略重點。長江儲存是中國領先的NAND製造商,是一家中國國有控股合資企業,由國家積體電路產業投資基金、前國立大學控股的無晶圓廠半導體公司清華紫光集團,和湖北省科技投資集團發起。其投資額為240億美元,僅為最初的武漢工廠分配的初始政府資金。...
2024 年 09 月 05 日

邏輯/DRAM齊頭並進 imec展示High-NA EUV圖形化研究成果

比利時微電子研究中心(imec)在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾(ASML)合作建立的高數值孔徑(High-NA)極紫外光(EUV)微影實驗室中,利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機,發表了曝光後的圖形化元件結構。在單次曝光後,9奈米和5奈米(間距19奈米)的隨機邏輯結構、中心間距為30奈米的隨機通孔、間距為22奈米的二維特徵,以及間距為32奈米的動態隨機存取記憶體(DRAM)專用布局全部成功成形(圖1~圖4),採用的是由imec與其先進圖形化研究計畫夥伴所優化的材料和基線製程。透過這些研究成果,imec證實該微影技術的生態系統已經準備就緒,能夠實現高解析度的High-NA...
2024 年 08 月 14 日

應材拓展埃米時代晶片製造圖案化解決方案

應用材料公司於國際光電工程學會(SPIE)先進微影暨圖案化技術研討會上推出一系列為滿足「埃米時代」晶片圖案化需求的產品和解決方案。隨著製程推進至2奈米以下,晶片製造商愈來愈受惠於新材料工程和量測技術,進而克服EUV和高數值孔徑EUV圖案化的挑戰,包括線邊緣粗糙度、頂端對頂端的間隙(Tip-to-tip...
2024 年 03 月 01 日

imec/三井化學推動EUV奈米碳管光罩護膜商用

比利時微電子研究中心(imec)攜手三井化學共同宣布,為了推動針對極紫外光(EUV)微影應用的奈米碳管(CNT)光刻薄膜技術商業化,雙方正式建立策略夥伴關係。 此次合作,三井化學將把imec根據奈米碳管所研發的創新光罩護膜技術,整合至三井化學的光刻薄膜技術,目標是實現能夠全面投產的規格,預計將在2025~2026年導入高功率的極紫外光(EUV)系統。此次簽約於2023...
2023 年 12 月 25 日

imec/ASML攜手推動高數值孔徑EUV技術發展

比利時微電子研究中心(imec)及艾司摩爾(ASML)近日宣布,雙方計畫在開發最先進高數值孔徑(high-NA)極紫外光(EUV)微影試驗製程的下一階段強化彼此之間的合作。 比利時微電子與ASML簽署合作備忘錄,雙方將共同推動高數值孔徑EUV技術發展...
2023 年 06 月 29 日

FRACTILIA全新堆疊量測方案提升EUV製程良率

Fractilia宣布推出Fractilia堆疊量測方案(Fractilia Overlay Package),能夠為Fractilia的MetroLER與FAME增加全新堆疊量測與分析功能。Fractilia產品結合獨家專利的反向線掃瞄模型技術(FILM)與真正的計算量測,是唯一經過驗證的晶圓製造廠解決方案,可以對所有主要隨機效應提供高精準度的量測,而這也是先進製程上最大且單一的微影圖形(Patterning)錯誤來源。Fractilia目前正與多家晶片製造商合作,使用全新的Fractilia堆疊量測方案為掃描式電子顯微鏡(SEM)的疊對影像數據進行分析。...
2023 年 06 月 27 日

摩爾定律續命丹 ASD/DSA解電路圖形化瓶頸

半導體製程持續挺進個位數字奈米節點,為達成摩爾定律的微縮進度,儘管微影技術不斷有所突破,無論是透過各種手段將浸潤式微影解析度推至極限,採用波長更短、技術也日益成熟的極紫外光(EUV)光源微影以實現更高解析度,或是利用分次曝光提升線路密度的多重圖形(Multiple...
2023 年 03 月 30 日

讓半導體製程更加環境友善 imec發表量化評估方案

日前由國際光學工程學會(SPIE)舉辦的2023年先進微影成形技術會議(2023 Advanced Lithography and Patterning Conference)上,比利時微電子研究中心(imec)展示了一套先進IC圖形化製程的環境影響量化評估方案,並在imec.netzero模擬平台上開發了一座虛擬晶圓廠。利用該平台的分析結果,imec與其夥伴就能評估現有的製程方案,識別開發的重點領域,並推算未來數據。imec在其實體晶圓廠探索各式高影響力(high...
2023 年 03 月 17 日

愛德萬發表最新缺陷檢測掃瞄電子顯微鏡

愛德萬測試(Advantest Corporation)發表E5620缺陷檢測掃瞄電子顯微鏡(Defect Review Scanning Electron Microscope, DR-SEM),E5620...
2022 年 12 月 14 日

DRAM製程進入1β世代 美光再度搶下頭香

美光(Micron)於2日宣布,該公司已開始為特定智慧型手機製造商與晶片組合作夥伴提供使用1β(1-beta)製程節點生產的LPDDR5X DRAM驗證樣品,同時該製程節點的量產作業已全面準備就緒,預期2023年上市的智慧型手機就將搭載這類DRAM。基於美光1β製程的LPDDR5X最高速度可達每秒8.5Gb等級,同時位元密度與功耗也有顯著改進。除行動裝置外,1β帶來的低延遲、低功耗、高性能DRAM,更可支援各種高度回應式服務、即時服務、體驗的個人化與脈絡化,從智慧車輛到資料中心均可受惠。...
2022 年 11 月 03 日